| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 符号说明 | 第15-17页 |
| 第—章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第17-20页 |
| 1.1.1 自旋电子学简介 | 第17-18页 |
| 1.1.2 自旋注入及输运 | 第18-20页 |
| 1.2 有机自旋电子学以及目前应用 | 第20-27页 |
| 1.2.1 有机自旋电子学 | 第20-21页 |
| 1.2.2 有机半导体材料 | 第21-23页 |
| 1.2.3 有机小分子材料磁性 | 第23-25页 |
| 1.2.4 有机自旋阀器件 | 第25-27页 |
| 1.3 本文拟展开研究的内容 | 第27-31页 |
| 第二章 样品制备与测试分析 | 第31-45页 |
| 2.1 实验材料 | 第31-33页 |
| 2.2 实验设备和实验方法 | 第33-39页 |
| 2.2.1 真空镀膜原理 | 第33-35页 |
| 2.2.2 真空镀膜设备 | 第35-37页 |
| 2.2.3 物理气相沉积系统 | 第37-39页 |
| 2.3 样品测试分析 | 第39-45页 |
| 2.3.1 薄膜厚度监测 | 第39-40页 |
| 2.3.2 磁性测试 | 第40-41页 |
| 2.3.3 表面形貌表征 | 第41-42页 |
| 2.3.4 结构成分测试分析 | 第42-44页 |
| 2.3.5 发光性质分析 | 第44-45页 |
| 第三章 钐掺杂八羟基喹啉镓的制备与特性 | 第45-65页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 实验方法 | 第46-47页 |
| 3.3 钐掺杂八羟基喹啉镓的室温铁磁性 | 第47-50页 |
| 3.4 钐掺杂八羟基喹啉镓的结构分析 | 第50-58页 |
| 3.5 钐掺杂八羟基喹啉镓的光电性质 | 第58-61页 |
| 3.5.1 光吸收性质 | 第58-60页 |
| 3.5.2 光致发光性质 | 第60-61页 |
| 3.6 退火对钐掺杂八羟基喹啉镓薄膜磁性的影响 | 第61-63页 |
| 3.7 小结 | 第63-65页 |
| 第四章 钐掺杂八羟基喹啉锰的制备与特性 | 第65-77页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验方法 | 第66页 |
| 4.3 纯八羟基喹啉锰薄膜的形貌及室温铁磁性研究 | 第66-69页 |
| 4.4 钐掺杂八羟基喹啉锰薄膜的形貌及室温铁磁性研究 | 第69-73页 |
| 4.5 稀土镝掺杂八羟基喹啉锰薄膜的磁性探索 | 第73-74页 |
| 4.6 小结 | 第74-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第91页 |