新型微电子IC晶圆清洗方法的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·晶圆清洗技术在微电子领域中的重要作用 | 第8-10页 |
| ·微电子技术的发展依赖于硅晶圆片的表面质量 | 第8页 |
| ·硅晶圆表面洁净度的要求 | 第8-9页 |
| ·晶圆清洗的作用 | 第9-10页 |
| ·硅晶圆清洗技术的概述 | 第10-11页 |
| ·硅晶圆清洗技术的发展过程 | 第10页 |
| ·新清洗技术研究背景 | 第10-11页 |
| ·清洗技术面临的困难和发展趋势 | 第11-12页 |
| ·清洗技术面临的困难 | 第11-12页 |
| ·新清洗技术的发展趋势 | 第12页 |
| ·本课题研究的主要问题及论文结构 | 第12-13页 |
| ·本课题研究的主要问题 | 第12页 |
| ·论文的结构 | 第12-13页 |
| 第二章 硅晶圆表面污染物的来源和危害 | 第13-17页 |
| ·颗粒污染 | 第13-14页 |
| ·颗粒污染的危害 | 第13页 |
| ·颗粒污染的来源 | 第13-14页 |
| ·有机物 | 第14-15页 |
| ·有机物的危害 | 第14-15页 |
| ·有机物的来源 | 第15页 |
| ·金属离子污染 | 第15-16页 |
| ·金属离子污染的来源 | 第15页 |
| ·金属离子污染途径 | 第15-16页 |
| ·金属离子污染的危害 | 第16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 常用的清洗方法和测试手段 | 第17-26页 |
| ·硅晶圆片的表面形态 | 第17页 |
| ·吸附作用及吸附分类 | 第17-19页 |
| ·吸附作用 | 第17-18页 |
| ·吸附种类和特征 | 第18-19页 |
| ·常用清洗方法 | 第19-23页 |
| ·干法清洗 | 第19-20页 |
| ·湿法清洗 | 第20-23页 |
| ·清洗平面检测手段 | 第23-25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 硅晶圆清洗 | 第26-37页 |
| ·清洗方案 | 第26-30页 |
| ·表面活性剂 | 第26-28页 |
| ·硼掺杂金刚石薄膜电极电化学氧化性能分析 | 第28-30页 |
| ·颗粒和金属离子的去除 | 第30-32页 |
| ·表面活性剂选择 | 第30页 |
| ·清洗过程 | 第30页 |
| ·结果和分析 | 第30-32页 |
| ·有机物的去除 | 第32-36页 |
| ·实验原理 | 第32页 |
| ·清洗装置 | 第32-33页 |
| ·清洗步骤 | 第33页 |
| ·对比实验 | 第33-34页 |
| ·结果及讨论 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 总结和展望 | 第37-39页 |
| ·本课题所研究主要内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43页 |
