| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-51页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第16-19页 |
| ·晶体结构和能带结构 | 第16-18页 |
| ·电学性能 | 第18页 |
| ·光学性能 | 第18页 |
| ·其它性能 | 第18-19页 |
| ·随机激射的研究进展 | 第19-27页 |
| ·随机激射现象 | 第19-23页 |
| ·随机激射的机理 | 第23-25页 |
| ·随机激射的潜在应用 | 第25-27页 |
| ·ZnO随机激射的研究进展 | 第27-49页 |
| ·光抽运ZnO随机激射 | 第27-34页 |
| ·电抽运ZnO随机激射 | 第34-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 材料与器件的制备方法及表征 | 第51-65页 |
| ·器件的制备 | 第51-61页 |
| ·ZnO薄膜 | 第51页 |
| ·绝缘层 | 第51-60页 |
| ·电极 | 第60-61页 |
| ·薄膜与器件性能的表征方法 | 第61-62页 |
| ·薄膜结构、形貌与组成 | 第61页 |
| ·薄膜与器件的光学性能 | 第61-62页 |
| ·器件电学性能 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第四章 利用Zn_2TiO_4纳米颗粒镶嵌增强ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·ZnO薄膜、Zn_2TiO_4纳米颗粒镶嵌ZnO薄膜及其MIS器件的制备 | 第65-66页 |
| ·薄膜的表征 | 第66-72页 |
| ·MIS器件的电抽运随机激射 | 第72-74页 |
| ·随机激射增强的机理 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-79页 |
| 第五章 利用表面织构化增强ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射 | 第79-95页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·ZnO薄膜的表面织构化 | 第79-80页 |
| ·表面织构化的表征 | 第80-82页 |
| ·MIS器件的电抽运随机激射 | 第82-85页 |
| ·随机激射增强的机理 | 第85-86页 |
| ·表面织构化参数对ZnO薄膜MIS器件电抽运随机激射的影响 | 第86-93页 |
| ·稀HCl浓度对ZnO薄膜MIS器件电抽运随机激射的影响 | 第86-88页 |
| ·表面织构化处理时间对ZnO薄膜MIS器件电抽运随机激射的影响 | 第88-90页 |
| ·表面织构化处理温度对ZnO薄膜MIS器件电抽运随机激射的影响 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第六章 ZnO薄膜厚度对其MIS器件电抽运随机激射的影响 | 第95-113页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·基于不同厚度(小于50 nm)的ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射 | 第95-105页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第95-98页 |
| ·ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射 | 第98-103页 |
| ·薄膜厚度对器件电抽运随机激射影响的机理 | 第103-105页 |
| ·基于不同厚度(大于100nm)的ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射 | 第105-110页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第106-107页 |
| ·ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射 | 第107-108页 |
| ·薄膜厚度对器件电抽运随机激射影响的机理 | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110-113页 |
| 第七章 基于双重SiO_2/ZnO结构的发光器件的电抽运随机激射 | 第113-125页 |
| ·引言 | 第113页 |
| ·不同结构器件的制备 | 第113-114页 |
| ·器件的电抽运随机激射 | 第114-118页 |
| ·双重SiO_2/ZnO结构提升器件电抽运随机激射性能的机理解释 | 第118-123页 |
| ·本章小结 | 第123-125页 |
| 第八章 总结 | 第125-129页 |
| 参考文献 | 第129-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 个人简历 | 第145-147页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第147-148页 |
