摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-28页 |
·分子印迹技术 | 第10-13页 |
·分子印迹技术的发展过程 | 第10页 |
·分子印迹技术的基本原理 | 第10-11页 |
·分子印迹技术的分类 | 第11-12页 |
·分子印迹技术的特点 | 第12-13页 |
·分子印迹聚合物的制备方法 | 第13-17页 |
·本体聚合法 | 第13-14页 |
·原位聚合法 | 第14页 |
·表面印迹法 | 第14-15页 |
·悬浮聚合法 | 第15-16页 |
·电化学聚合法 | 第16-17页 |
·影响分子印迹聚合物识别性能的因素 | 第17-20页 |
·溶剂对 MIPs 识别能力的影响 | 第17-18页 |
·功能单体对 MIPs 识别性能的影响 | 第18-19页 |
·交联剂对 MIPs 识别性能的影响 | 第19-20页 |
·印迹分子对 MIPs 识别性能的影响 | 第20页 |
·分子印迹聚合物的应用 | 第20-23页 |
·分子印迹聚合物在传感器中的应用 | 第20-21页 |
·分子印迹聚合物在分离技术中的应用 | 第21-22页 |
·分子印迹聚合物在催化领域中的应用 | 第22-23页 |
·化学修饰电极及其研究进展 | 第23-27页 |
·化学修饰电极的发展过程 | 第23页 |
·化学修饰电极的制备 | 第23-26页 |
·共价键合法 | 第23-24页 |
·吸附法 | 第24-25页 |
·电化学聚合法 | 第25页 |
·电化学沉积法 | 第25页 |
·组合法 | 第25-26页 |
·化学修饰电极的应用 | 第26-27页 |
·选择性富集与分离 | 第26页 |
·电催化 | 第26页 |
·在传感器中的应用 | 第26-27页 |
·本论文的内容和意义 | 第27-28页 |
2 日落黄分子印迹修饰电极的制备 | 第28-46页 |
·实验部分 | 第28-29页 |
·仪器与试剂 | 第28页 |
·实验方法 | 第28-29页 |
·结果与讨论 | 第29-39页 |
·功能单体邻氨基酚的循环伏安特性 | 第29-30页 |
·电化学激发信号对分子印迹薄膜的影响 | 第30-33页 |
·聚合圈数对分子印迹薄膜的影响 | 第33-34页 |
·邻氨基酚浓度对分子印迹薄膜的影响 | 第34-35页 |
·日落黄浓度对分子印迹薄膜的影响 | 第35页 |
·支持电解质对分子印迹薄膜的影响 | 第35-36页 |
·模板分子洗脱条件的探究 | 第36-38页 |
·分子印迹修饰电极制备方法的优化组合 | 第38-39页 |
·分子印迹修饰电极与非印迹分子修饰电极对日落黄特性吸附的比较 | 第39-43页 |
·电活性非印迹分子修饰电极对日落黄的特性吸附作用 | 第39页 |
·电惰性非印迹分子修饰电极对日落黄的特性吸附作用 | 第39-41页 |
·电活性分子印迹修饰电极对日落黄的特性吸附作用 | 第41页 |
·电惰性分子印迹修饰电极对日落黄的特性吸附作用 | 第41-43页 |
·分子印迹修饰电极的表征 | 第43-45页 |
·分子印迹修饰电极的扫描电镜 | 第43-44页 |
·分子印迹修饰电极的电化学表征 | 第44页 |
·分子印迹修饰电极的光化学表征 | 第44-45页 |
·结论 | 第45-46页 |
3 日落黄分子印迹修饰电极检测方法的研究 | 第46-59页 |
·实验部分 | 第46-47页 |
·仪器与试剂 | 第46-47页 |
·实验方法 | 第47页 |
·结果与讨论 | 第47-58页 |
·日落黄的电化学氧化还原活性 | 第47-48页 |
·日落黄的微分脉冲伏安特性 | 第48-49页 |
·脉冲幅度的影响 | 第49-50页 |
·脉冲间隔的影响 | 第50页 |
·脉冲宽度的影响 | 第50页 |
·支持电解质及 pH 值的选择 | 第50-51页 |
·吸附时间的选择 | 第51-52页 |
·线性关系、检出限、重现性试验 | 第52-53页 |
·干扰实验 | 第53-54页 |
·样品测定及回收率试验 | 第54页 |
·分子印迹修饰电极测定日落黄的机理讨论 | 第54-58页 |
·日落黄在电活性分子印迹修饰电极响应的机理研究 | 第54-55页 |
·电惰性分子印迹修饰电极测定日落黄机理研究 | 第55-57页 |
·日落黄在修饰电极上的吸附性 | 第57页 |
·日落黄电极反应的电子数及其反应的质子数 | 第57-58页 |
·结论 | 第58-59页 |
结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-67页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |