| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-21页 |
| ·应变 MOSFET 技术的发展历史与研究现状 | 第13-19页 |
| ·论文主要工作 | 第19-20页 |
| ·论文结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 Si:C 源漏碳原子浓度分布优化设计 | 第21-41页 |
| ·研究背景与研究内容 | 第21-22页 |
| ·本章研究背景 | 第21-22页 |
| ·本章研究内容 | 第22页 |
| ·样品制备流程 | 第22-24页 |
| ·倒置 C 分布的 Si:C 材料分析与表征 | 第24-34页 |
| ·样品测试与表征 | 第24-25页 |
| ·电学特性分析 | 第25-28页 |
| ·晶体质量分析 | 第28-30页 |
| ·Si:C 替位式 C 原子含量测试与分析 | 第30-33页 |
| ·替位式 C 原子浓度与方块电阻关系的物理解释 | 第33-34页 |
| ·具有倒置 C 浓度结构的 NiSi 接触电极特性分析 | 第34-40页 |
| ·NiSi 样品制备 | 第35页 |
| ·NiSi 电学特性分析 | 第35-36页 |
| ·NiSi 晶体结构与表面形貌分析 | 第36-38页 |
| ·NiSi 在倒置 C 结构与均匀 C 结构中的特性比较 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 新型 Si:C 源漏接触材料研究 | 第41-63页 |
| ·研究背景与研究内容 | 第41-42页 |
| ·本章研究背景 | 第41-42页 |
| ·本章研究内容 | 第42页 |
| ·样品制备流程 | 第42-46页 |
| ·Si:C 源漏 n-MOSFET 制备流程 | 第42-45页 |
| ·NiSi/p-Si 二极管样品制备流程 | 第45-46页 |
| ·掺杂 NiSi 材料特性研究 | 第46-53页 |
| ·掺杂 NiSi 肖特基势垒调制效应研究 | 第46-50页 |
| ·掺杂 NiSi 其它相关材料特性与电学特性研究 | 第50-53页 |
| ·Ni1-xAlxSi 在 Si:C 源漏应变 n-MOSFET 中的应用 | 第53-61页 |
| ·Ni1-xAlxSi 接触 MOSFET 电流驱动能力分析 | 第53-55页 |
| ·源漏串联电阻 RSD测试与分析 | 第55-57页 |
| ·Ni1-xAlxSi 接触 MOSFET 性能的统计测试与分析 | 第57-60页 |
| ·Ni1-xAlxSi 技术在 CMOS 工艺中的应用 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 适用于应变 Ge 沟道 MOSFET 的 GeSn 材料生长技术研究 | 第63-87页 |
| ·研究背景与研究内容 | 第63-65页 |
| ·本章研究背景 | 第63-65页 |
| ·本章研究内容 | 第65页 |
| ·离子注入参数设计与样品制备 | 第65-68页 |
| ·离子注入参数设计 | 第65-67页 |
| ·样品制备与测试流程 | 第67-68页 |
| ·快速热退火 GeSn 材料特性分析 | 第68-80页 |
| ·Sn 与 B 初始浓度分布测试 | 第68-70页 |
| ·替位式 Sn 含量测试与分析 | 第70-77页 |
| ·电学特性分析 | 第77-78页 |
| ·晶体质量分析 | 第78-80页 |
| ·准分子激光退火 GeSn 材料特性分析 | 第80-86页 |
| ·替位式 Sn 含量分析 | 第81-83页 |
| ·GeSn 形成后 Sn 浓度分布测试 | 第83-85页 |
| ·晶体质量分析 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 GeSn 合金在应变 Ge MOSFET 源漏结构中的应用研究 | 第87-109页 |
| ·研究背景与研究内容 | 第87-89页 |
| ·本章研究背景 | 第87-89页 |
| ·本章研究内容 | 第89页 |
| ·源漏结构设计与样品制备 | 第89-95页 |
| ·源漏结构设计 | 第89-92页 |
| ·样品制备流程 | 第92-93页 |
| ·Sn 原子与 B 原子初始浓度分布测试 | 第93-95页 |
| ·样品测试与分析 | 第95-108页 |
| ·源漏泄漏电流测试 | 第95-98页 |
| ·源漏泄漏电流与晶体质量的关系 | 第98-101页 |
| ·样品替位式 Sn 原子含量测试与分析 | 第101-104页 |
| ·退火后 Sn 原子浓度分布分析 | 第104-106页 |
| ·样品方块电阻测试 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 结论 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-121页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第121-122页 |
