| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| 1．1 引言 | 第13-14页 |
| 1．2 垂直腔面发射半导体激光器的特点 | 第14-17页 |
| 1．3 垂直腔面发射半导体激光器的应用 | 第17-19页 |
| 1．4 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 VCSEL的基本理论及其外延生长的准备工作 | 第24-45页 |
| 2．1 引言 | 第24页 |
| 2．2 VCSEL的基本理论 | 第24-32页 |
| 2．3 外延生长的准备工作 | 第32-42页 |
| 2．3．1 MBE的工作原理 | 第33-36页 |
| 2．3．2 分子束外延（MBE）生长中的几个主要问题 | 第36-38页 |
| 2．3．3 量子阱GaAs/AlGaAs边发射半导体激光器 | 第38-42页 |
| 2．4 小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器的研制 | 第45-68页 |
| 3．1 引言 | 第45-46页 |
| 3．2 双光束激光反射原位监控精确生长多层薄膜结构 | 第46-48页 |
| 3．3 VCSEL器件的结构设计 | 第48-52页 |
| 3．4 量子阱VCSEL的外延生长 | 第52-58页 |
| 3．5 器件的制备工艺以及特性的测试与分析 | 第58-64页 |
| 3．5．1 几种VCSEL器件的制作工艺 | 第58-59页 |
| 3．5．2 质子注入工艺的研究 | 第59-62页 |
| 3．5．3 器件的制作工艺 | 第62页 |
| 3．5．4 VCSEL器件的测试结果 | 第62-64页 |
| 3．6 小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 VCSEL的热特性以及增益导引的分析 | 第68-84页 |
| 4．1 引言 | 第68-69页 |
| 4．2 VCSEL的热特性的分析 | 第69-77页 |
| 4．2．1 器件的电流扩散 | 第69-70页 |
| 4．2．2 VCSEL的热源分布 | 第70-71页 |
| 4．2．3 热传导方程求解 | 第71-74页 |
| 4．2．4 结果与分析 | 第74-77页 |
| 4．3 VCSEL的增益波导的讨论 | 第77-81页 |
| 4．3．1 载流子浓度分布 | 第77-78页 |
| 4．3．2 增益波导 | 第78-81页 |
| 4．4 小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第五章 一种新型的垂直腔面发射激光器列阵的研制 | 第84-100页 |
| 5．1 引言 | 第84页 |
| 5．2 几种VCSEL列阵器件制作工艺的特点 | 第84-89页 |
| 5．2．1 二次沉积SiO_2法制备VCSEL列阵器件 | 第85-86页 |
| 5．2．2 氧化物隔离VCSEL列阵器件 | 第86-87页 |
| 5．2．3 离子注入隔离实现VCSEL列阵工艺 | 第87-89页 |
| 5．3 新型VCSEL列阵器件的设计 | 第89-93页 |
| 5．4 四次质子注入钨丝掩膜制备VCSEL列阵器件的工艺 | 第93-95页 |
| 5．5 VCSEL列阵器件的特性测试 | 第95-96页 |
| 5．6 小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 第六章 新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜的研制 | 第100-114页 |
| 6．1 引言 | 第100-101页 |
| 6．2 AlAs/[GaAs/AlAs]DBR的结构设计 | 第101-103页 |
| 6．3 DBR的外延生长 | 第103-105页 |
| 6．4 DBR光学特性的研究 | 第105-106页 |
| 6．5 DBR电学特性的研究 | 第106-110页 |
| 6．6 小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第七章 总结 | 第114-117页 |
| 附录 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
