| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要（Abstract） | 第7-9页 |
| 第一章 绪言 | 第9-23页 |
| 1．1 液晶的发现 | 第9-10页 |
| 1．2 液晶的分类 | 第10-12页 |
| 1．3 液晶的研究及液晶显示器件的发展 | 第12-14页 |
| 1．4 当前液晶显示器件研究热点问题 | 第14-17页 |
| 1．4．1 LCD视角问题 | 第14-16页 |
| 1．4．2 LCD响应时间问题 | 第16-17页 |
| 1．4．3 反射式显示 | 第17页 |
| 1．5 本文的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 弱锚定对IPS模式阈值电压的改进 | 第23-48页 |
| 2．1 引言 | 第23页 |
| 2．2 传统IPS模式及其显示原理 | 第23-24页 |
| 2．3 液晶连续体弹性形变理论 | 第24-28页 |
| 2．4 IPS模式不对称弱锚定下的阈值电压 | 第28-38页 |
| 2．4．1 不对称弱锚定IPS模式的总自由能 | 第28-30页 |
| 2．4．2 变分计算 | 第30-32页 |
| 2．4．3 阈值电压 | 第32-38页 |
| 2．4．4 数值结果和讨论 | 第38页 |
| 2．5 非对称锚定IPS器件制作与阈值电压结果讨论 | 第38-45页 |
| 2．5．1 强锚定IPS模式 | 第38-40页 |
| 2．5．2 非对称弱锚定IPS模式 | 第40-44页 |
| 2．5．3 各模式阈值电压的比较 | 第44-45页 |
| 2．6 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 共面转换液晶显示器件的色移分析及改进 | 第48-71页 |
| 3．1 引言 | 第48页 |
| 3．2 共面转换液晶显示器件的色移理论分析 | 第48-53页 |
| 3．3 利用单面摩擦扭曲模式对色移现象的改进 | 第53-64页 |
| 3．3．1 单面摩擦的共面转换（OSRIPS）液晶显示模型 | 第53页 |
| 3．3．2 实验 | 第53-60页 |
| 3．3．3 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 3．4 圆弧状电极显示模式对色移现象的改进 | 第64-69页 |
| 3．4．1 圆弧电极（Arc Electrode）共面转换液晶显示模型 | 第64-65页 |
| 3．4．2 圆弧电极共面转换液晶样品制备 | 第65页 |
| 3．4．3 圆弧电极共面转换液晶样品测试结果 | 第65-67页 |
| 3．4．4 OSRIPS和AEIPS的比较 | 第67-68页 |
| 3．4．5 AEIPS和CEIPS向错的比较 | 第68-69页 |
| 3．5 本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 共面转换液晶器件的响应特性改善 | 第71-98页 |
| 4．1 引言 | 第71页 |
| 4．2 向列相液晶的动力学方程 | 第71-74页 |
| 4．3 共面转换液晶显示器件的动态响应 | 第74-77页 |
| 4．4 聚合物网络对IPS-LCD下降响应特性的改善 | 第77-86页 |
| 4．4．1 聚合物网络IPS-LCD样品制备 | 第77-78页 |
| 4．4．2 聚合物网络IPS-LCD动态响应理论模型及分析 | 第78-80页 |
| 4．4．3 聚合物网络IPS-LCD样品测试结果 | 第80-86页 |
| 4．5 双面电极共面转换液晶光阀 | 第86-96页 |
| 4．5．1 双面电极共面转换液晶光阀模型 | 第86-88页 |
| 4．5．2 双面电极共面转换液晶模式动态响应理论分析 | 第88-93页 |
| 4．5．3 双面电极共面转换液晶光阀的制备 | 第93页 |
| 4．5．4 双面电极共面转换液晶光阀的驱动电路设计 | 第93-94页 |
| 4．5．5 双面电极共面转换液晶光阀测试结果及讨论 | 第94-96页 |
| 4．6 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 第五章 TFT双面电极共面转换液晶显示器参数设计 | 第98-115页 |
| 5．1 引言 | 第98页 |
| 5．2 IPSLCD与TFT的配合原理 | 第98-101页 |
| 5．2．1 液晶矩阵寻址原理及交叉串扰效应 | 第98-100页 |
| 5．2．2 TFT方式对交叉串扰现象的解决 | 第100-101页 |
| 5．3 TFT-IPSLCD对液晶材料的要求 | 第101-105页 |
| 5．3．1 正性与负性液晶材料的比较 | 第101-104页 |
| 5．3．2 液晶材料参数对TFT-IPSLCD的影响 | 第104-105页 |
| 5．4 提高TFT-IPSLCD开口率的器件设计 | 第105-113页 |
| 5．4．1 影响TFT-IPSLCD开口率的因素 | 第105-106页 |
| 5．4．2 TFT-IPSLCD电极设计 | 第106-108页 |
| 5．4．3 TFT-IPSLCD存储电容设计 | 第108-113页 |
| 5．5 本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-115页 |
| 第六章 结论 | 第115-117页 |
| 附 录 | 第117页 |
| 作者简介 | 第117页 |
| 主要成果和获奖 | 第117页 |
| 申请专利 | 第117-118页 |
| 发表论文 | 第118-121页 |
| 致 谢 | 第121页 |
