| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的基本性质 | 第12-13页 |
| ·In_2O_3的基本性质 | 第13-14页 |
| ·In_2O_3的晶体结构 | 第13页 |
| ·In_2O_3的电学特性 | 第13-14页 |
| ·In_2O_3的光学特性 | 第14页 |
| ·目前国内外 In_2O_3或 In_2O_3基透明导电氧化物的研究现状及存在问题 | 第14-16页 |
| ·研究现状 | 第14-16页 |
| ·存在问题 | 第16页 |
| ·In_2O_3薄膜的制备工艺 | 第16-17页 |
| ·磁控溅射法 | 第16页 |
| ·化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第17页 |
| ·本文的研究目的和意义 | 第17页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征 | 第18-24页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·实验材料与实验设备 | 第18-20页 |
| ·实验材料 | 第18页 |
| ·实验设备 | 第18-20页 |
| ·实验流程 | 第20页 |
| ·样品制备 | 第20-21页 |
| ·处理衬底 | 第20页 |
| ·制备薄膜 | 第20-21页 |
| ·样品表征仪器 | 第21-23页 |
| ·表征仪器介绍 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 In_2O_3薄膜结构、形貌、电学与光学性能 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·In_2O_3薄膜的结构 | 第24-26页 |
| ·不同衬底温度 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第24-25页 |
| ·不同氩氧比 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第25-26页 |
| ·In_2O_3薄膜的形貌 | 第26-28页 |
| ·不同衬底温度 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第26-27页 |
| ·不同氩氧比 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第27-28页 |
| ·In_2O_3薄膜的电学性能 | 第28-30页 |
| ·不同衬底温度 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第28-29页 |
| ·不同氩氧比 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第29-30页 |
| ·In_2O_3薄膜的光学性能 | 第30-33页 |
| ·不同衬底温度 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第30-31页 |
| ·不同氩氧比 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第31-33页 |
| ·In_2O_3薄膜的紫外光敏性能 | 第33-34页 |
| ·不同衬底温度 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第33-34页 |
| ·不同氩氧比 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜结构、形貌、电学与光学性能 | 第36-55页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的结构 | 第36-40页 |
| ·不同衬底温度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第36-38页 |
| ·不同氩氧比 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的 XRD 的分析 | 第38-39页 |
| ·不同浓度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第39-40页 |
| ·Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的形貌 | 第40-44页 |
| ·不同衬底温度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第40-42页 |
| ·不同氩氧比 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第42-43页 |
| ·不同浓度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第43-44页 |
| ·Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的电学性能 | 第44-48页 |
| ·不同衬底温度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第44-46页 |
| ·不同氩氧比 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第46-47页 |
| ·不同浓度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第47-48页 |
| ·Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的光学性能 | 第48-51页 |
| ·不同衬底温度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第48-49页 |
| ·不同氩氧比 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第49-50页 |
| ·不同浓度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第50-51页 |
| ·Sn 掺杂 In_2O_3薄膜的紫外光敏性能 | 第51-53页 |
| ·不同衬底温度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第51-52页 |
| ·不同氩氧比 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第52-53页 |
| ·不同浓度 Sn 掺杂 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜结构、形貌、电学与光学性能 | 第55-75页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜的结构 | 第55-57页 |
| ·不同衬底温度 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第55-56页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜 XRD 的分析 | 第56-57页 |
| ·不同浓度 Cr 掺杂 ITO(0.23at%Sn)薄膜 XRD 的分析 | 第57页 |
| ·Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜的形貌 | 第57-62页 |
| ·不同衬底温度 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第57-59页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第59-60页 |
| ·不同浓度 Cr 掺杂 ITO(0.23at%Sn)薄膜 SEM、AFM 的分析 | 第60-62页 |
| ·Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜的 XPS 分析 | 第62-64页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜 XPS 分析 | 第62-64页 |
| ·Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜的电学性能 | 第64-67页 |
| ·不同衬底温度 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第64-65页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜霍尔效应分析 | 第65-66页 |
| ·不同浓度 Cr 掺杂 ITO(0.23at%Sn)薄膜霍尔效应分析 | 第66-67页 |
| ·Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜的光学性能 | 第67-71页 |
| ·不同衬底温度 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第67-69页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜光学性能分析 | 第69-70页 |
| ·不同浓度 Cr 掺杂 ITO(0.23at%Sn)薄膜的光学性能分析 | 第70-71页 |
| ·Sn、Cr 掺杂 In_2O_3薄膜的紫外光敏性能 | 第71-73页 |
| ·不同衬底温度 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第71-72页 |
| ·不同氩氧比 Sn、Cr 共掺 In_2O_3薄膜紫外光敏性能分析 | 第72-73页 |
| ·不同浓度 Cr 掺杂 ITO(0.23at%Sn)薄膜紫外光敏性能分析 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
