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In2O3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-19页
   ·稀磁半导体研究概况第11-13页
     ·稀磁半导体简介第11-12页
     ·稀磁半导体的研究现状第12-13页
   ·In_2O_3基稀磁半导体第13-16页
     ·In_2O_3的结构特性第13页
     ·In_2O_3基稀磁半导体的研究现状及存在问题第13-16页
   ·SiC 基稀磁半导体第16-18页
     ·SiC 的结构特性第16-17页
     ·SiC 基稀磁半导体的研究现状及存在问题第17-18页
   ·本论文的研究目的及研究内容第18-19页
第二章 半导体薄膜的制备与表征第19-27页
   ·半导体薄膜的制备第19-21页
     ·磁控溅射方法简介第19-20页
     ·实验材料与设备第20-21页
     ·清洗基片第21页
   ·表征方法第21-26页
     ·X 射线衍射(XRD)第21-22页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第22-23页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第23页
     ·X 射线吸收精细结构谱(XAFS)第23-24页
     ·磁性能测试第24-25页
     ·电输运性能测试第25页
     ·光学性能测试第25-26页
   ·本章小结第26-27页
第三章 Mn 掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能第27-43页
   ·引言第27页
   ·实验过程第27页
   ·结果与讨论第27-42页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的成分与含量分析第27-28页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的 X 射线衍射分析第28-29页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的表面形貌第29-30页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的价态分析第30-31页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的局域结构分析第31-36页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的磁性分析第36-37页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的输运特性第37-39页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜的禁带宽度和缺陷分析第39-41页
     ·Mn 掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释第41-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 Co 掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能第43-54页
   ·引言第43页
   ·实验过程第43页
   ·结果与讨论第43-53页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的成分与含量分析第43-44页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的 X 射线衍射分析第44-45页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的表面形貌第45-46页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的价态分析第46-47页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的局域结构分析第47-49页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的磁性分析第49-50页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的输运特性第50-52页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜的缺陷分析第52页
     ·Co 掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释第52-53页
   ·本章小结第53-54页
第五章 Cr 掺杂及 Cr、Mn 共掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的微结构与磁、输运性能第54-77页
   ·引言第54页
   ·实验过程第54-55页
   ·Cr 掺杂 SiC 薄膜的结果与讨论第55-62页
     ·Cr 掺杂 SiC 薄膜的 X 射线衍射分析第55-56页
     ·Cr 掺杂 SiC 薄膜的价态分析第56-57页
     ·Cr 掺杂 SiC 薄膜的局域结构分析第57-60页
     ·Cr 掺杂 SiC 薄膜的输运特性第60-62页
   ·Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的结果与讨论第62-73页
     ·Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的 X 射线衍射分析第62-63页
     ·Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的价态分析第63-65页
     ·Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的局域结构分析第65-71页
     ·Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的输运特性第71-73页
   ·Cr 掺杂 SiC 和 Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的磁性第73-75页
     ·Cr 掺杂 SiC 和 Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜的磁性分析第73-74页
     ·Cr 掺杂 SiC 和 Cr、Mn 共掺杂 SiC 薄膜磁性来源的解释第74-75页
   ·本章小结第75-77页
第六章 结论第77-79页
参考文献第79-84页
发表论文和科研情况说明第84-85页
致谢第85-86页

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