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霍尔推力器电子运动行为的数值模拟

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
符号表第7-16页
第1章 绪论第16-35页
   ·课题背景及研究意义第16-18页
     ·课题来源第16页
     ·研究背景及意义第16-18页
   ·霍尔推力器性能的主要影响因素第18-21页
     ·阴极对推力器性能的影响第18-19页
     ·磁场对推力器性能的影响第19页
     ·壁面条件对推力器性能的影响第19-20页
     ·工质对推力器性能的影响第20-21页
   ·电子物理过程研究的重要意义第21-27页
     ·电子是霍尔推力器的直接可控因素第21-24页
     ·电子物理过程的特殊性第24-27页
   ·霍尔推力器数值模拟研究第27-33页
     ·霍尔推力器数值模拟的主要研究方法第28-29页
     ·流体模拟研究现状第29-30页
     ·粒子模拟研究现状第30-32页
     ·霍尔推力器粒子模拟的必要性第32-33页
   ·论文的主要内容和章节安排第33-35页
第2章 粒子模拟模型的建立及分析第35-70页
   ·PIC粒子模拟方法的基本计算过程第35-46页
     ·初始粒子的布置第36-37页
     ·云方程第37-38页
     ·粒子推动(Boris方法)第38-40页
     ·粒子间的碰撞第40-43页
     ·泊松方程的求解第43-46页
   ·霍尔推力器PIC模拟的特殊问题第46-62页
     ·边界条件第46-50页
     ·热化电势假设第50-52页
     ·原子变权重方法第52-53页
     ·波姆反常传导模型第53-54页
     ·模型的简化第54-60页
     ·流体方程对原子的描述第60-62页
   ·PIC稳定性分析第62-68页
     ·稳定性问题的提出第62-64页
     ·控制理论对稳定性问题的分析第64-68页
   ·程序流程第68-69页
   ·本章小结第69-70页
第3章 电子近壁传导问题研究第70-97页
   ·引言第70页
   ·磁镜效应对电子近壁传导的影响研究第70-85页
     ·研究背景第70-72页
     ·计算模型第72-74页
     ·内壁面磁镜效应研究第74-79页
     ·环形通道效应对电子迁移率的影响第79-83页
     ·电子迁移率的二维分布第83-85页
   ·壁面宏观形貌对电子近壁传导的影响第85-95页
     ·研究背景第85-86页
     ·计算模型第86-89页
     ·沟槽深度对电势分布的影响第89-90页
     ·霍尔漂移对鞘层电势分布的影响第90-91页
     ·不同沟槽情况下的近壁传导第91-92页
     ·壁面宏观形貌对反常腐蚀研究的重要意义第92-95页
   ·本章小结第95-97页
第4章 电子回旋效应研究第97-112页
   ·引言第97页
   ·轴向磁场梯度对电子迁移率的影响第97-104页
     ·计算模型第98-99页
     ·磁场梯度对电子传导的影响第99-102页
     ·电子有限拉莫尔半径效应第102-104页
   ·轴向梯度对等离子体参数分布的影响第104-110页
     ·计算模型第104-105页
     ·计算结果及分析第105-110页
   ·本章小结第110-112页
第5章 推力器宏观现象的模拟第112-133页
   ·引言第112页
   ·推力器点火过程第112-120页
     ·点火过程的物理问题第112-113页
     ·计算模型第113-115页
     ·点火过程参数的演化过程第115-118页
     ·工作参数对电流峰值的影响第118-120页
   ·缓冲区预电离研究第120-131页
     ·缓冲区内的主要物理过程第120页
     ·缓冲区预电离过程第120-121页
     ·提高预电离的方式第121-122页
     ·计算模型第122-124页
     ·附加电压对预电离率的影响第124-128页
     ·磁场的影响第128-131页
   ·本章小结第131-133页
结论第133-135页
参考文献第135-147页
攻读学位期间发表的学术论文及其它成果第147-150页
致谢第150-151页
个人简历第151页

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