| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| ·课题背景和研究的意义 | 第14-15页 |
| ·MOS晶体管沟道噪声模型的研究现状 | 第15-20页 |
| ·沟道热噪声模型 | 第15-17页 |
| ·闪烁噪声模型 | 第17-18页 |
| ·一致性噪声模型 | 第18-20页 |
| ·低噪声运算放大器的研究现状 | 第20-26页 |
| ·低噪声运算放大器的设计方法 | 第20-22页 |
| ·低噪声运算放大器的优化技术 | 第22-26页 |
| ·主要研究内容 | 第26-27页 |
| ·论文结构 | 第27-28页 |
| 第2章 运算放大器的噪声理论基础 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·电子器件中的基本噪声理论 | 第28-33页 |
| ·噪声的统计特性 | 第28-30页 |
| ·MOS晶体管的噪声源 | 第30-33页 |
| ·噪声二端口网络 | 第33-34页 |
| ·运算放大器的噪声分析 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 MOS晶体管全区域沟道噪声模型的建立 | 第37-68页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·MOS晶体管的工作区域 | 第38-39页 |
| ·短沟道效应 | 第39-42页 |
| ·垂直电场引起的迁移率退化 | 第39-40页 |
| ·速率饱和 | 第40-41页 |
| ·热载流子效应 | 第41页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第41页 |
| ·体电荷效应 | 第41-42页 |
| ·深亚微米MOS晶体管全区域沟道噪声模型的建立 | 第42-51页 |
| ·沟道热噪声模型 | 第45-47页 |
| ·闪烁噪声模型 | 第47-50页 |
| ·噪声转角频率的讨论 | 第50-51页 |
| ·实验验证 | 第51-67页 |
| ·芯片测试及噪声提取方法 | 第52-56页 |
| ·模型验证 | 第56-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 基于全区域噪声模型的低噪声运放的设计方法 | 第68-85页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·根据性能要求确定电路结构 | 第69页 |
| ·电路设计与分析 | 第69-76页 |
| ·性能分析 | 第70-73页 |
| ·设计步骤 | 第73-76页 |
| ·设计方法的扩展 | 第76页 |
| ·芯片实现及验证 | 第76-84页 |
| ·设计参数的计算结果 | 第76-78页 |
| ·芯片测试与验证 | 第78-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第5章 低噪声运放设计及其对全区域噪声模型的验证 | 第85-116页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·基于V-NPN的低噪声运放设计及全区域噪声模型的验证 | 第85-93页 |
| ·设计考虑 | 第86-88页 |
| ·基于V-NPN晶体管的低噪声三级运算放大器的设计及分析 | 第88-92页 |
| ·全区域噪声模型在V-NPN运算放大器设计中的验证 | 第92-93页 |
| ·基于DTMOS的低噪声运放设计及全区域噪声模型的验证 | 第93-100页 |
| ·DTMOS晶体管的工作原理 | 第93-95页 |
| ·基于DTMOS晶体管的低压低噪声运算放大器设计 | 第95-99页 |
| ·全区域噪声模型在改进的DTMOS运放设计中的验证 | 第99-100页 |
| ·Rail-to-Rail输入的低噪声恒跨导运放设计及设计方法的验证 | 第100-114页 |
| ·设计考虑 | 第101-104页 |
| ·Rail-to-rail输入的低噪声恒跨导运放设计 | 第104-110页 |
| ·低噪声运放设计方法在Rail-to-Rail低噪声运放中的验证 | 第110-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 结论 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-128页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 个人简历 | 第131页 |
