摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-13页 |
·研究背景 | 第9-11页 |
·本文内容及贡献 | 第11-13页 |
第二章 BiCMOS工艺与电路设计 | 第13-21页 |
·BiCMOS 模拟集成电路工艺技术概况及进展 | 第13-14页 |
·模拟BiCMOS 工艺技术 | 第14-19页 |
·典型模拟BiCMOS 工艺的基本特点 | 第15-16页 |
·典型模拟BiCMOS 工艺的制造工序 | 第16-18页 |
·典型模拟BiCMOS 工艺中的基本器件 | 第18-19页 |
·基于BiCMOS 工艺的电路设计 | 第19-21页 |
第三章 运算放大器设计基础 | 第21-33页 |
·集成运放的种类及选择 | 第21-24页 |
·集成运放的种类 | 第21-23页 |
·集成运放的选择 | 第23-24页 |
·运算放大器指标定义及仿真方法 | 第24-29页 |
·直流参数仿真 | 第25-26页 |
·交流参数仿真 | 第26-28页 |
·瞬态参数仿真 | 第28-29页 |
·运放电路结构的基本设计思路 | 第29-33页 |
第四章 高压高性能BiCMOS运算放大器设计 | 第33-53页 |
·ASMC1.2umBCD 工艺库简介 | 第33页 |
·电路工作原理及子电路详细介绍 | 第33-38页 |
·偏置电压源模块分析与设计 | 第34-35页 |
·中间放大级电路分析与设计 | 第35-37页 |
·输出缓冲及动态调节电路分析与设计 | 第37-38页 |
·整体电路相应指标仿真结果及分析 | 第38-45页 |
·电路多目标优化分析 | 第45-53页 |
·优化功能模块介绍 | 第46-47页 |
·优化功能语法介绍 | 第47-49页 |
·整体电路的多目标优化设计 | 第49-53页 |
第五章 物理层版图设计 | 第53-65页 |
·ASMC1.2um 高压BCD 工艺层次定义及器件应力条件 | 第53-54页 |
·电路单元版图设计 | 第54-62页 |
·无源器件版图设计 | 第54-58页 |
·双极型器件版图设计 | 第58-59页 |
·MOSFET 版图设计 | 第59-62页 |
·整体电路的版图布线及验证 | 第62-65页 |
·电路版图布线基本原则 | 第62-63页 |
·整体电路布线及验证 | 第63-65页 |
总结 | 第65-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
附录 整体电路优化所用到的网表文件 | 第69-72页 |