摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
目录 | 第10-13页 |
1 绪论 | 第13-26页 |
·引言 | 第13-14页 |
·课题研究背景及意义 | 第14-23页 |
·高灵敏度微光成像CCD的发展现状 | 第14-22页 |
·研究电子倍增CCD噪声特性的意义 | 第22-23页 |
·本文的主要工作及创新点 | 第23-26页 |
2 电子倍增CCD的工作原理与噪声模型 | 第26-40页 |
·引言 | 第26页 |
·电子倍增CCD的结构与工作原理 | 第26-29页 |
·电子倍增CCD的噪声模型 | 第29-39页 |
·光子散粒噪声 | 第29-30页 |
·暗电流噪声 | 第30-32页 |
·时钟感生电荷噪声 | 第32页 |
·噪声因子 | 第32-36页 |
·读出噪声 | 第36-39页 |
·电子倍增CCD的总噪声模型 | 第39页 |
·本章小结 | 第39-40页 |
3 电子倍增CCD工作模式与噪声特性的关系研究 | 第40-51页 |
·引言 | 第40页 |
·电子倍增CCD的工作模式 | 第40-44页 |
·电子倍增CCD的表面势理论模型 | 第40-43页 |
·反转模式(Inverted Mode Operation,简称IMO) | 第43页 |
·非反转模式(Non-Inverted Mode Operation,简称NIMO) | 第43-44页 |
·不同工作模式下的噪声特性对比 | 第44-47页 |
·暗电流 | 第44-45页 |
·时钟感生电荷 | 第45-47页 |
·工作模式的选择 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
4 电子倍增CCD最佳工作模式研究 | 第51-68页 |
·引言 | 第51页 |
·表面态和界面态 | 第51-59页 |
·表面态 | 第51-56页 |
·Si-SiO_2界面态 | 第56-59页 |
·电子倍增CCD表面暗电流的恢复特征时间 | 第59-64页 |
·周期反转模式(即最佳工作模式) | 第64-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
5 电子倍增CCD极限探测特性研究 | 第68-86页 |
·引言 | 第68页 |
·电子倍增CCD的信噪比极限理论模型及简化模型 | 第68-73页 |
·电子倍增CCD的信噪比极限理论模型 | 第68-70页 |
·电子倍增CCD信噪比简化模型 | 第70-73页 |
·像素合并模式下电子倍增CCD的信噪比特性 | 第73-79页 |
·工作原理 | 第73-75页 |
·像素合并模式下电子倍增CCD的信噪比模型 | 第75-77页 |
·实验结果 | 第77-79页 |
·电子倍增CCD与ICCD的信噪比对比分析 | 第79-85页 |
·ICCD的噪声模型 | 第79-82页 |
·电子倍增CCD和ICCD的信噪比对比 | 第82-83页 |
·实验结果 | 第83-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
6 基于光子-噪声传递技术的电子倍增CCD系统性能参数测试研究 | 第86-104页 |
·引言 | 第86页 |
·光子-噪声传递技术 | 第86-88页 |
·光子-噪声传递曲线 | 第88-91页 |
·本底、暗场和平场 | 第91-93页 |
·本底 | 第91-92页 |
·暗场 | 第92-93页 |
·平场 | 第93页 |
·实验测试 | 第93-103页 |
·转换增益和满阱 | 第96页 |
·读出噪声 | 第96-97页 |
·倍增增益 | 第97-99页 |
·时钟感生电荷噪声 | 第99-100页 |
·暗电流噪声和热像素 | 第100-101页 |
·噪声因子 | 第101-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
7 结束语 | 第104-105页 |
致谢 | 第105-106页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-113页 |