电子倍增CCD的倍增机制及其在光子计数成像的应用
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1.绪论 | 第12-24页 |
| ·微光成像技术 | 第12-20页 |
| ·真空微光成像器件的发展与现状 | 第13-17页 |
| ·微光电荷雪崩图像传感器的发展 | 第17-20页 |
| ·研究背景和目的 | 第20-21页 |
| ·创新点分析和研究内容 | 第21-24页 |
| ·本文创新点分析 | 第21-22页 |
| ·本文的研究内容 | 第22-24页 |
| 2.CCD物理基础 | 第24-42页 |
| ·MOS器件的物理基础 | 第24-32页 |
| ·埋层沟道MOS器件的物理基础 | 第24-25页 |
| ·埋层沟道MOS器件的电势分布模型 | 第25-32页 |
| ·CCD的噪声 | 第32-38页 |
| ·CCD的噪声类型 | 第33-36页 |
| ·CCD的信噪比 | 第36-38页 |
| ·CCD信噪比改善途径 | 第38-41页 |
| ·CCD信噪比改善 | 第38页 |
| ·电子倍增CCD概述 | 第38-40页 |
| ·信噪比评价 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 3.碰撞电离模型 | 第42-69页 |
| ·碰撞电离模型 | 第43-46页 |
| ·碰撞电离阂值 | 第44页 |
| ·碰撞电离率 | 第44-45页 |
| ·局部场理论 | 第45页 |
| ·非局部场理论 | 第45-46页 |
| ·散粒噪声抑制理论 | 第46页 |
| ·高增益模式的增益统计特性 | 第46-55页 |
| ·倍增寄存器的增益统计模型 | 第47-53页 |
| ·输出电荷数的概率密度函数 | 第53-55页 |
| ·普通增益模式的倍增噪声模型 | 第55-63页 |
| ·"盲区"效应模型 | 第55-57页 |
| ·模型验证 | 第57-60页 |
| ·电子倍增CCD的额外噪声因子 | 第60-61页 |
| ·倍增噪声的优化 | 第61-63页 |
| ·实验与分析 | 第63-67页 |
| ·电子倍增CCD的测试 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 4.成像模型与模拟 | 第69-96页 |
| ·信号电荷转移模型 | 第69-82页 |
| ·电荷转移模型 | 第69-77页 |
| ·MTF测试与分析 | 第77-80页 |
| ·模型验证 | 第80-82页 |
| ·电子倍增CCD的数学模型 | 第82-94页 |
| ·电子倍增CCD噪声源分析 | 第82-85页 |
| ·成像模型 | 第85-87页 |
| ·实验与分析 | 第87-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 5.光子计数成像原理 | 第96-115页 |
| ·光子计数成像原理 | 第96-97页 |
| ·电子倍增CCD的光子响应模型 | 第97-106页 |
| ·电子倍增CCD的连续光子响应特性 | 第97-100页 |
| ·电子倍增CCD的离散单光子响应特性 | 第100-101页 |
| ·电子倍增CCD单光子探测的实例分析 | 第101-104页 |
| ·实例计算结果 | 第104-105页 |
| ·计算结果分析 | 第105-106页 |
| ·单光子探测阈值原理 | 第106-114页 |
| ·阈值选取原则 | 第106-108页 |
| ·双重闽值原理 | 第108-111页 |
| ·A类集合筛选阈值选取 | 第111-112页 |
| ·B类集合筛选阈值选取 | 第112-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 6.单光子探测与成像实验 | 第115-153页 |
| ·单光子探测实验与误差分析 | 第115-130页 |
| ·实验方案 | 第115-116页 |
| ·伪光子事件噪声分析 | 第116-122页 |
| ·光子事件探测效率分析 | 第122-130页 |
| ·光子计数成像实验 | 第130-151页 |
| ·双重阈值在光子计数模式中的应用 | 第130-131页 |
| ·光子计数成像实验一 | 第131-138页 |
| ·光子计数成像实验二 | 第138-145页 |
| ·光子事件频率测试实验 | 第145-151页 |
| ·本章小结 | 第151-153页 |
| 7 结束语 | 第153-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
| 参考文献 | 第156-163页 |
| 附录 | 第163页 |
