| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-35页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·各种光刻技术的对比 | 第8-10页 |
| ·纳米压印技术 | 第10-16页 |
| ·纳米压印技术溯源 | 第10-11页 |
| ·热压印术(T-NIL) | 第11-12页 |
| ·紫外固化压印(UV-NIL) | 第12页 |
| ·软压印术(S-NIL) | 第12-14页 |
| ·其他种类的压印技术 | 第14页 |
| ·三种压印工艺比较 | 第14-16页 |
| ·纳米压印技术应用的国内外研究进展 | 第16-24页 |
| ·光学方面 | 第16-19页 |
| ·亚波长光栅 | 第16-17页 |
| ·光子晶体 | 第17-18页 |
| ·表面等离子体 | 第18-19页 |
| ·高密度存储器 | 第19-20页 |
| ·生物芯片 | 第20-22页 |
| ·微纳电子器件 | 第22-24页 |
| ·纳米压印技术面临的挑战 | 第24-25页 |
| ·气体传感器 | 第25-29页 |
| ·金属氧化物气体传感器 | 第25-28页 |
| ·多孔硅气体传感器 | 第28-29页 |
| ·本课题研究意义 | 第29页 |
| ·论文架构 | 第29-30页 |
| ·参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 基于SU-8的三层胶纳米压印图形转移工艺及其在模板复制上的应用 | 第35-56页 |
| ·引言 | 第35-38页 |
| ·单层压印图形转移技术 | 第35-36页 |
| ·双层压印图形转移技术 | 第36-37页 |
| ·三层结构压印图形转移技术 | 第37页 |
| ·本论文用SU-8纳米压印胶介绍 | 第37-38页 |
| ·压印前准备工作 | 第38-43页 |
| ·纳米压印模版制造 | 第38-40页 |
| ·模板表面疏水处理 | 第40-41页 |
| ·压印衬底清洗 | 第41-42页 |
| ·压印胶的配制 | 第42-43页 |
| ·基于SU-8胶的纳米压印图形转移工艺实验研究 | 第43-49页 |
| ·SU-8单层压印 | 第43-44页 |
| ·SU-8/PMMA双层压印 | 第44-45页 |
| ·SU-8/SiO_2/PMMA三层结构压印 | 第45-49页 |
| ·结果讨论及工艺参数优化 | 第49-54页 |
| ·SU-8单层压印工艺的失败原因 | 第49页 |
| ·SU-8/PMMA双层压印工艺参数的控制 | 第49-50页 |
| ·压印温度的选择 | 第49-50页 |
| ·反应离子刻蚀条件的选择 | 第50页 |
| ·SU-8/SiO_2/PMMA三层压印工艺优化和尺寸控制 | 第50-54页 |
| ·工艺参数优化 | 第50-53页 |
| ·图形尺寸控制 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| ·参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 三层结构纳米压印图形转移技术制备硅纳米线气体传感器及性能研究 | 第56-77页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·半导体表面敏感传感器的工作原理 | 第57-58页 |
| ·硅纳米线传感器的制备方法 | 第58-61页 |
| ·三层结构压印制备硅纳米线传感器 | 第61-66页 |
| ·纳米线传感器参数设计 | 第61-63页 |
| ·实验步骤 | 第63-66页 |
| ·硅纳米线的电学测试和气体传感特性 | 第66-69页 |
| ·计算机仿真及实验数据分析(程序见附页) | 第69-75页 |
| ·小结 | 第75页 |
| ·参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 硅纳米线传感器工艺的改进 | 第77-91页 |
| ·使用热氧化降低纳米线线宽和表面缺陷。 | 第77-78页 |
| ·使用TMAH湿法腐蚀硅 | 第78-82页 |
| ·使用软模板单层压印制备硅纳米线传感器 | 第82-89页 |
| ·直接使用PDMS | 第82-84页 |
| ·PDMS+抽真空 | 第84-85页 |
| ·PDMS+PMMA | 第85-88页 |
| ·PDMS+SU-8+PMMA | 第88-89页 |
| ·小结 | 第89页 |
| ·参考文献 | 第89-91页 |
| 第五章 总结与展望 | 第91-93页 |
| ·全文总结 | 第91-92页 |
| ·展望和对未来工作的建议 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表的论文 | 第94-95页 |
| 附录:硅纳米线matlab仿真程序 | 第95-97页 |
