摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
引言 | 第6-12页 |
前言 | 第6-7页 |
影响芯片成品率因素的分析 | 第7-10页 |
可制造性设计的目的 | 第10-11页 |
本文的内容和工作 | 第11-12页 |
第一章 可制造性设计方法的介绍 | 第12-17页 |
·天线效应规则(Antenna Check) | 第12-13页 |
·化学机械抛光区域填充(CMP Dummy Filling) | 第13-14页 |
·叠层通孔最小区域填充(Double Via Filling) | 第14页 |
·亚波长光刻分辨率增强技术(RET) | 第14-15页 |
·光学邻近修正(OPC) | 第15-17页 |
第二章 HERCULES物理验证工具和PROTEUS掩模综合工具介绍 | 第17-34页 |
·DFM对工具的要求 | 第17页 |
·HERCULES物理验证工具介绍 | 第17-22页 |
·图形逻辑命令 | 第17-19页 |
·图形测量命令 | 第19-20页 |
·图形生成命令 | 第20-21页 |
·电路检查命令 | 第21-22页 |
·PROTEUS掩模综合工具介绍 | 第22-34页 |
·版图树形结构管理 | 第22-26页 |
·图形逻辑命令 | 第26-27页 |
·图形线段切割 | 第27-30页 |
·基于规则的光学邻近修正 | 第30-31页 |
·基于模型的光学邻近修正 | 第31-34页 |
第三章 HERCULES实现ANTENNA检查、CMP填充和VIA填充 | 第34-44页 |
·天线效应规则检查 | 第34-38页 |
·制造厂天线效应规则 | 第34-35页 |
·天线效应规则检查的实现 | 第35-37页 |
·天线效应检查错误的版图修复 | 第37-38页 |
·CMP规则填充 | 第38-40页 |
·制造厂CMP填充规则 | 第38页 |
·CMP规则填充的实现 | 第38-39页 |
·传统方法的优化 | 第39-40页 |
·Double Via规则填充 | 第40-43页 |
·制造厂Double Via填充规则 | 第40页 |
·Double Via规则填充的实现 | 第40-43页 |
·全芯片运行总结 | 第43-44页 |
第四章 用PROTEUS实现光学邻近修正 | 第44-58页 |
·PROTEUS工作流程 | 第44-45页 |
·PROTEUS用户参数 | 第45-57页 |
·综合参数设定 | 第45-46页 |
·Hierman参数设定 | 第46页 |
·图形参数设定 | 第46-47页 |
·分割参数设定 | 第47-48页 |
·规则偏移参数 | 第48页 |
·目标点调整参数设定 | 第48-50页 |
·修正参数设定 | 第50-52页 |
·掩膜规则检查参数设定 | 第52-53页 |
·修正诊断参数设定 | 第53页 |
·光学辅助图形插入参数设定 | 第53-54页 |
·光学辅助图形成像检查参数设定 | 第54-55页 |
·工艺窗口参数设定 | 第55-57页 |
·全芯片运行总结 | 第57-58页 |
第五章 面向设计的可制造性设计 | 第58-61页 |
第六章 总结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |