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ATLAS MDT二期升级前端电子学中的TDC ASIC研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 引言第12-36页
    1.1 大型强子对撞机及其升级计划第12-14页
        1.1.1 大型强子对撞机简介第12-13页
        1.1.2 大型强子对撞机高亮度升级计划第13-14页
    1.2 超环面探测器简介第14-15页
    1.3 ATLAS中μ子谱仪及其子系统监控漂移管室简介第15-26页
        1.3.1 ATLAS中μ子谱仪及其升级计划简介第15-19页
        1.3.2 μ子谱仪监控漂移管室及其读出系统介绍第19-24页
        1.3.3 μ子触发及读出电子学Phase Ⅱ Upgrade第24-26页
    1.4 MDT前端电子学系统现状及其Phase Ⅱ升级计划第26-32页
        1.4.1 MDT前端电子学现状第26-31页
        1.4.2 MDT前端电子Phase Ⅱ升级计划第31-32页
    参考文献第32-36页
第二章 时间数字变换器的基本原理与实现方法第36-62页
    2.1 时幅转换型TDC第37-38页
        2.1.1 电流充电型TDC第37页
        2.1.2 RC结构TDC第37-38页
    2.2 基于延迟链的TDC第38-41页
        2.2.1 基本延迟链TDC第38-39页
        2.2.2 受控延迟链TDC第39-41页
    2.3 游标卡尺型TDC第41-49页
        2.3.1 游标卡尺延迟链TDC第42-44页
        2.3.2 环形游标卡尺TDC第44-47页
        2.3.3 脉冲收缩型TDC第47-49页
    2.4 Wave union TDC第49-51页
        2.4.1 A型Wave union TDC第49-50页
        2.4.2 B型Wave Union TDC第50-51页
    2.5 时间放大型TDC第51-53页
        2.5.1 Wilkinson型TDC第51-52页
        2.5.2 基于RS锁存器的时间放大器第52-53页
    2.6 其他类型的TDC第53-54页
        2.6.1 Pipeline型TDC第53-54页
        2.6.2 DLL阵列型TDC第54页
    2.7 应用于高能物理实验中的典型时间数字变换器第54-57页
        2.7.1 HPTDC第55-57页
    2.8 本章小结第57-58页
    参考文献第58-62页
第三章 芯片整体结构及时间数字化电路第62-102页
    3.1 芯片整体结构第62-64页
        3.1.1 芯片指标要求第62-63页
        3.1.2 芯片整体结构第63-64页
    3.2 时钟产生电路第64-67页
        3.2.1 时钟产生电路总体结构第64-66页
        3.2.2 时钟产生电路主要性能指标第66-67页
    3.3 通道内量化电路研究第67-99页
        3.3.1 通道内量化电路总体结构研究第67-74页
        3.3.2 关键子模块时钟状态锁存器研究第74-94页
        3.3.3 辅助电路结构第94-98页
        3.3.4 通道内量化电路实现第98-99页
    3.4 本章小结第99-100页
    参考文献第100-102页
第四章 TDC数据读出逻辑第102-158页
    4.1 读出电路总体结构第102-103页
    4.2 无触发读出模式的研究及实现第103-117页
        4.2.1 通道读出逻辑第104-105页
        4.2.2 多通道读出模型及仿真第105-115页
        4.2.3 无触发读出数据格式第115-117页
    4.3 触发读出模式的研究及实现第117-127页
        4.3.1 触发读出原理第117-119页
        4.3.2 基于通道内CAM的触发匹配第119-122页
        4.3.3 触发接口第122-124页
        4.3.4 触发事件建立模块第124-126页
        4.3.5 触发读出数据格式第126-127页
    4.4 芯片配置、控制及串行数据接口第127-153页
        4.4.1 基于JTAG的配置接口第127-136页
        4.4.2 芯片控制接口第136-142页
        4.4.3 串行数据接口第142-153页
    4.5 读出逻辑验证及实现第153-155页
    4.6 本章小结第155页
    参考文献第155-158页
第五章 芯片总体实现及测试结果第158-180页
    5.1 芯片管脚分布及总体布局第158-162页
        5.1.1 芯片管脚分布第158-160页
        5.1.2 芯片整体布局第160-162页
    5.2 测试结果第162-176页
        5.2.1 测试平台概述第162-164页
        5.2.2 TDC芯片量化性能测试第164-169页
        5.2.3 TDC无触发读出模式测试第169-173页
        5.2.4 TDC触发读出模式测试第173-175页
        5.2.5 其他测试第175-176页
    5.3 多通道内插减小Bin Size测试第176-178页
    5.4 本章小结第178-179页
    参考文献第179-180页
第六章 总结与展望第180-182页
    6.1 总结第180页
    6.2 展望第180-182页
附录第182-188页
    附录A TDC芯片配置寄存器表第182-184页
    附录B TDC芯片管脚表第184-188页
致谢第188-190页
在读期间发表的学术论文第190页

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