低温超导纳米线单光子读出电路设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展动态 | 第12-13页 |
| 1.3 主要研究内容与系统设计指标 | 第13-14页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第14-17页 |
| 第二章 器件低温特性研究 | 第17-25页 |
| 2.1 低温工作对工艺的要求 | 第17页 |
| 2.2 HBT管温度特性 | 第17-18页 |
| 2.3 MOSFET温度特性 | 第18-24页 |
| 2.3.1 超低温对迁移率的影响 | 第18-21页 |
| 2.3.2 阈值电压变化 | 第21-22页 |
| 2.3.3 冻析效应 | 第22-23页 |
| 2.3.4 其它特性 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 低温放大器设计与仿真 | 第25-47页 |
| 3.1 检测信号 | 第25-26页 |
| 3.2 电路框架总体设计 | 第26-27页 |
| 3.3 单转双电路设计 | 第27-31页 |
| 3.3.1 常用的单转双电路 | 第27-29页 |
| 3.3.2 单转双电路设计 | 第29-31页 |
| 3.4 共模负反馈电路设计 | 第31-33页 |
| 3.4.1 采用共模反馈电路的原因 | 第31页 |
| 3.4.2 共模负反馈电路设计 | 第31-32页 |
| 3.4.3 共模反馈电路稳定性仿真 | 第32-33页 |
| 3.5 增益级设计 | 第33-41页 |
| 3.5.1 拓展带宽的几种方法 | 第33-39页 |
| 3.5.2 增益级电路结构 | 第39-41页 |
| 3.6 低温放大器仿真结果 | 第41-45页 |
| 3.6.1 放大器AC特性仿真 | 第41-43页 |
| 3.6.2 放大器输入阻抗仿真 | 第43-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 阵列读出部分设计与仿真 | 第47-59页 |
| 4.1 阵列读出系统结构 | 第47-48页 |
| 4.2 比较器的基本理论 | 第48-49页 |
| 4.3 比较器的设计与仿真 | 第49-51页 |
| 4.3.1 比较器设计 | 第49-50页 |
| 4.3.2 比较器的仿真结果 | 第50-51页 |
| 4.4 复接器的基本理论 | 第51-53页 |
| 4.4.1 移位寄存器结构复接器 | 第52页 |
| 4.4.2 多相位时钟选通结构 | 第52-53页 |
| 4.4.3 树型结构 | 第53页 |
| 4.5 复接器的设计与仿真 | 第53-57页 |
| 4.5.1 二选一数据选择器的设计及仿真分析 | 第54-55页 |
| 4.5.2 时钟产生电路的设计及仿真分析 | 第55-56页 |
| 4.5.3 整个复接器仿真结果 | 第56-57页 |
| 4.6 本章总结 | 第57-59页 |
| 第五章 版图设计与后仿真 | 第59-69页 |
| 5.1 版图设计 | 第59-64页 |
| 5.1.1 版图设计要点 | 第59-60页 |
| 5.1.2 低温放大器和比较器的版图设计 | 第60-62页 |
| 5.1.3 复接器(6:1)版图设计 | 第62-64页 |
| 5.2 后仿真结果 | 第64-68页 |
| 5.2.1 低温放大器后仿真结果 | 第64-65页 |
| 5.2.2 比较器后仿真结果 | 第65-66页 |
| 5.2.3 复接器后仿真结果 | 第66-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |
