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BiCMOS多模多标准射频前端中功率放大器设计

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
缩略语表第13-14页
第1章 绪论第14-20页
    1.1 研究背景与意义第14-16页
    1.2 SiGe HBT功率放大器的研究现状第16-18页
    1.3 研究内容和设计指标第18页
        1.3.1 研究内容第18页
        1.3.2 设计指标第18页
    1.4 论文组织结构第18-20页
第2章 射频功率放大器基础第20-38页
    2.1 功率放大器简介第20页
    2.2 功率放大器的分类第20-25页
        2.2.1 D类功率放大器第21-22页
        2.2.2 E类功率放大器第22-24页
        2.2.3 F类功率放大器第24-25页
        2.2.4 不同类型功率放大器性能对比第25页
    2.3 功率放大器的主要性能参数第25-29页
        2.3.1 输出功率第26页
        2.3.2 功率增益第26-27页
        2.3.3 效率第27-28页
        2.3.4 线性度第28页
        2.3.5 输入输出反射系数第28-29页
    2.4 SiGe Bi CMOS工艺下功率放大器基本特性简介第29-31页
        2.4.1 SiGe Bi CMOS技术优势第29-30页
        2.4.2 SiGe HBT与射频功率放大器第30-31页
    2.5 宽带功率放大器设计的主要限制第31-33页
        2.5.1 宽带功率放大器设计的限制因素第31-32页
        2.5.2 宽带功率放大器设计的相关考虑第32-33页
    2.6 宽带功率放大器的设计技术第33-37页
        2.6.1 负反馈技术第33-34页
        2.6.2 匹配网络补偿技术第34-35页
        2.6.3 平衡放大器设计技术第35-36页
        2.6.4 分布式放大器第36页
        2.6.5 低Q值多级匹配第36-37页
    2.7 本章小结第37-38页
第3章 射频E类功率放大器设计与前仿真第38-62页
    3.1 射频E类功率放大器设计指标第38页
    3.2 射频E类功率放大器设计方案第38-39页
    3.3 射频E类功率放大器设计第39-54页
        3.3.1 电路拓扑结构设计第39-43页
        3.3.2 晶体管选择第43-44页
        3.3.3 稳定性设计第44-45页
        3.3.4 匹配电路设计第45-47页
        3.3.5 负载变换网络设计第47-52页
        3.3.6 射频E类功率放大器整体结构第52-54页
    3.4 射频E类功率放大器前仿真第54-60页
        3.4.1 瞬态仿真第54-56页
        3.4.2 稳定性仿真第56-57页
        3.4.3 S参数第57-58页
        3.4.4 输出功率和功率附加效率第58-59页
        3.4.5 E类功率放大器前仿真总结第59-60页
    3.5 本章小结第60-62页
第4章 射频E类功率放大器的版图设计和后仿真第62-72页
    4.1 版图设计考虑第62-63页
    4.2 射频E类功率放大器版图设计第63-65页
    4.3 射频E类功率放大器后仿真第65-71页
        4.3.1 瞬态仿真第65-67页
        4.3.2 稳定性和S参数第67-68页
        4.3.3 输出功率和功率附加效率第68-70页
        4.3.4 后仿真结果总结第70-71页
    4.4 本章小节第71-72页
第5章 总结与展望第72-74页
    5.1 工作总结第72页
    5.2 工作展望第72-74页
参考文献第74-78页
致谢第78-80页
攻读硕士学位期间发表的论文第80页

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