| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 缩略语表 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-16页 |
| 1.2 SiGe HBT功率放大器的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 研究内容和设计指标 | 第18页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第18页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第18页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第18-20页 |
| 第2章 射频功率放大器基础 | 第20-38页 |
| 2.1 功率放大器简介 | 第20页 |
| 2.2 功率放大器的分类 | 第20-25页 |
| 2.2.1 D类功率放大器 | 第21-22页 |
| 2.2.2 E类功率放大器 | 第22-24页 |
| 2.2.3 F类功率放大器 | 第24-25页 |
| 2.2.4 不同类型功率放大器性能对比 | 第25页 |
| 2.3 功率放大器的主要性能参数 | 第25-29页 |
| 2.3.1 输出功率 | 第26页 |
| 2.3.2 功率增益 | 第26-27页 |
| 2.3.3 效率 | 第27-28页 |
| 2.3.4 线性度 | 第28页 |
| 2.3.5 输入输出反射系数 | 第28-29页 |
| 2.4 SiGe Bi CMOS工艺下功率放大器基本特性简介 | 第29-31页 |
| 2.4.1 SiGe Bi CMOS技术优势 | 第29-30页 |
| 2.4.2 SiGe HBT与射频功率放大器 | 第30-31页 |
| 2.5 宽带功率放大器设计的主要限制 | 第31-33页 |
| 2.5.1 宽带功率放大器设计的限制因素 | 第31-32页 |
| 2.5.2 宽带功率放大器设计的相关考虑 | 第32-33页 |
| 2.6 宽带功率放大器的设计技术 | 第33-37页 |
| 2.6.1 负反馈技术 | 第33-34页 |
| 2.6.2 匹配网络补偿技术 | 第34-35页 |
| 2.6.3 平衡放大器设计技术 | 第35-36页 |
| 2.6.4 分布式放大器 | 第36页 |
| 2.6.5 低Q值多级匹配 | 第36-37页 |
| 2.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 射频E类功率放大器设计与前仿真 | 第38-62页 |
| 3.1 射频E类功率放大器设计指标 | 第38页 |
| 3.2 射频E类功率放大器设计方案 | 第38-39页 |
| 3.3 射频E类功率放大器设计 | 第39-54页 |
| 3.3.1 电路拓扑结构设计 | 第39-43页 |
| 3.3.2 晶体管选择 | 第43-44页 |
| 3.3.3 稳定性设计 | 第44-45页 |
| 3.3.4 匹配电路设计 | 第45-47页 |
| 3.3.5 负载变换网络设计 | 第47-52页 |
| 3.3.6 射频E类功率放大器整体结构 | 第52-54页 |
| 3.4 射频E类功率放大器前仿真 | 第54-60页 |
| 3.4.1 瞬态仿真 | 第54-56页 |
| 3.4.2 稳定性仿真 | 第56-57页 |
| 3.4.3 S参数 | 第57-58页 |
| 3.4.4 输出功率和功率附加效率 | 第58-59页 |
| 3.4.5 E类功率放大器前仿真总结 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 射频E类功率放大器的版图设计和后仿真 | 第62-72页 |
| 4.1 版图设计考虑 | 第62-63页 |
| 4.2 射频E类功率放大器版图设计 | 第63-65页 |
| 4.3 射频E类功率放大器后仿真 | 第65-71页 |
| 4.3.1 瞬态仿真 | 第65-67页 |
| 4.3.2 稳定性和S参数 | 第67-68页 |
| 4.3.3 输出功率和功率附加效率 | 第68-70页 |
| 4.3.4 后仿真结果总结 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小节 | 第71-72页 |
| 第5章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 工作总结 | 第72页 |
| 5.2 工作展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第80页 |