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AlGaN/GaN肖特基势垒二极管工艺制备与结构优化

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 GaN基材料的应用第9页
    1.2 AlGaN/GaNSBD研究现状第9-12页
    1.3 AlGaN/GaNSBD面临的问题第12-14页
    1.4 本文主要研究内容第14-17页
第2章 AlGaN/GaN材料特性及SBD工作原理第17-27页
    2.1 晶格结构第17页
    2.2 材料特性第17-18页
    2.3 极化效应以及2DEG的产生第18-19页
    2.4 AlGaN/GaNSBD器件结构及工作原理第19-24页
        2.4.1 器件结构第19-20页
        2.4.2 金半接触理论第20-22页
        2.4.3 器件工作原理第22-24页
    2.5 新型器件结构第24-26页
    2.6 本章小结第26-27页
第3章 AlGaN/GaNSBD关键工艺研究第27-41页
    3.1 器件隔离第27-28页
    3.2 欧姆接触研究第28-36页
        3.2.1 欧姆接触的形成第28-29页
        3.2.2 欧姆接触电极的制备第29-31页
        3.2.3 比接触电阻率的测试第31-32页
        3.2.4 Ti/Al比例对比接触电阻率的影响第32-35页
        3.2.5 Ti/Al厚度对比接触电阻率的影响第35-36页
    3.3 SiO_2钝化层研究第36-38页
        3.3.1 SiO_2钝化层对器件正向特性的影响第37-38页
        3.3.2 SiO_2钝化层对器件漏电流的影响第38页
    3.4 肖特基接触研究第38-40页
        3.4.1 退火温度对器件特性的影响第39-40页
        3.4.2 退火时间对器件特性的影响第40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 AlGaN/GaNSBD的制备以及特性研究第41-53页
    4.1 版图及器件结构第41-42页
    4.2 AlGaN/GaNSBD器件制备第42-46页
        4.2.1 外延片结构第42页
        4.2.2 AlGaN/GaNSBD器件结构参数第42-43页
        4.2.3 AlGaN/GaNSBD工艺流程第43-46页
    4.3 电极布局对AlGaN/GaNSBD正向特性的影响第46-50页
        4.3.1 阴阳极间距对器件正向特性的影响第47-48页
        4.3.2 肖特基电极面积对器件正向特性的影响第48-49页
        4.3.3 插指数目对器件正向特性的影响第49-50页
    4.4 电极布局对AlGaN/GaNSBD击穿特性的影响第50-52页
        4.4.1 阴阳极间距对器件击穿特性的影响第50-51页
        4.4.2 肖特基电极面积对器件击穿特性的影响第51-52页
    4.5 本章小结第52-53页
第5章 浮动金属环AlGaN/GaNSBD仿真研究第53-61页
    5.1 浮动金属环AlGaN/GaNSBD器件结构第53-54页
    5.2 器件模型搭建第54-55页
        5.2.1 Silvaco-ATLAS仿真平台第54-55页
        5.2.2 器件建模与结构参数第55页
    5.3 浮动金属环宽度对AlGaN/GaNSBD器件特性的影响第55-59页
        5.3.1 浮动金属环宽度对器件正向特性的影响第55-57页
        5.3.2 浮动金属环宽度对器件击穿特性的影响第57-59页
    5.4 浮动金属环个数对AlGaN/GaNSBD器件特性的影响第59-60页
        5.4.1 浮动金属环个数对器件正向特性的影响第59页
        5.4.2 浮动金属环个数对器件击穿特性的影响第59-60页
    5.5 本章小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-67页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第67-69页
致谢第69页

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