| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 GaN基材料的应用 | 第9页 |
| 1.2 AlGaN/GaNSBD研究现状 | 第9-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaNSBD面临的问题 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第14-17页 |
| 第2章 AlGaN/GaN材料特性及SBD工作原理 | 第17-27页 |
| 2.1 晶格结构 | 第17页 |
| 2.2 材料特性 | 第17-18页 |
| 2.3 极化效应以及2DEG的产生 | 第18-19页 |
| 2.4 AlGaN/GaNSBD器件结构及工作原理 | 第19-24页 |
| 2.4.1 器件结构 | 第19-20页 |
| 2.4.2 金半接触理论 | 第20-22页 |
| 2.4.3 器件工作原理 | 第22-24页 |
| 2.5 新型器件结构 | 第24-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 AlGaN/GaNSBD关键工艺研究 | 第27-41页 |
| 3.1 器件隔离 | 第27-28页 |
| 3.2 欧姆接触研究 | 第28-36页 |
| 3.2.1 欧姆接触的形成 | 第28-29页 |
| 3.2.2 欧姆接触电极的制备 | 第29-31页 |
| 3.2.3 比接触电阻率的测试 | 第31-32页 |
| 3.2.4 Ti/Al比例对比接触电阻率的影响 | 第32-35页 |
| 3.2.5 Ti/Al厚度对比接触电阻率的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 SiO_2钝化层研究 | 第36-38页 |
| 3.3.1 SiO_2钝化层对器件正向特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 SiO_2钝化层对器件漏电流的影响 | 第38页 |
| 3.4 肖特基接触研究 | 第38-40页 |
| 3.4.1 退火温度对器件特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 退火时间对器件特性的影响 | 第40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 AlGaN/GaNSBD的制备以及特性研究 | 第41-53页 |
| 4.1 版图及器件结构 | 第41-42页 |
| 4.2 AlGaN/GaNSBD器件制备 | 第42-46页 |
| 4.2.1 外延片结构 | 第42页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaNSBD器件结构参数 | 第42-43页 |
| 4.2.3 AlGaN/GaNSBD工艺流程 | 第43-46页 |
| 4.3 电极布局对AlGaN/GaNSBD正向特性的影响 | 第46-50页 |
| 4.3.1 阴阳极间距对器件正向特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.2 肖特基电极面积对器件正向特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.3 插指数目对器件正向特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 电极布局对AlGaN/GaNSBD击穿特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.4.1 阴阳极间距对器件击穿特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.2 肖特基电极面积对器件击穿特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 浮动金属环AlGaN/GaNSBD仿真研究 | 第53-61页 |
| 5.1 浮动金属环AlGaN/GaNSBD器件结构 | 第53-54页 |
| 5.2 器件模型搭建 | 第54-55页 |
| 5.2.1 Silvaco-ATLAS仿真平台 | 第54-55页 |
| 5.2.2 器件建模与结构参数 | 第55页 |
| 5.3 浮动金属环宽度对AlGaN/GaNSBD器件特性的影响 | 第55-59页 |
| 5.3.1 浮动金属环宽度对器件正向特性的影响 | 第55-57页 |
| 5.3.2 浮动金属环宽度对器件击穿特性的影响 | 第57-59页 |
| 5.4 浮动金属环个数对AlGaN/GaNSBD器件特性的影响 | 第59-60页 |
| 5.4.1 浮动金属环个数对器件正向特性的影响 | 第59页 |
| 5.4.2 浮动金属环个数对器件击穿特性的影响 | 第59-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
