| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料 | 第9-19页 |
| 1.1.1 Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料的制备 | 第10-13页 |
| 1.1.2 Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料的性质 | 第13-19页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米材料的功能应用 | 第19-25页 |
| 1.2.1 光电探测 | 第20-23页 |
| 1.2.2 气体检测 | 第23-24页 |
| 1.2.3 光催化 | 第24-25页 |
| 1.3 选题思路和意义 | 第25-27页 |
| 第二章 实验分析测试及器件构筑方法 | 第27-36页 |
| 2.1 实验分析测试方法 | 第27-30页 |
| 2.1.1 X射线衍射仪(XRD) | 第27页 |
| 2.1.2 拉曼(Raman)光谱仪 | 第27页 |
| 2.1.3 场发射扫描电子显微镜(FSEM) | 第27-28页 |
| 2.1.4 场发射透射电子显微镜(FTEM) | 第28页 |
| 2.1.5 原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
| 2.1.6 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第28-29页 |
| 2.1.7 紫外-可见(UV-Vis)分光光度计 | 第29页 |
| 2.1.8 阴极荧光(CL)光谱仪 | 第29页 |
| 2.1.9 半导体分析测试系统 | 第29-30页 |
| 2.2 器件的构筑 | 第30-34页 |
| 2.3 实验的主要试剂和装置 | 第34-36页 |
| 2.3.1 实验主要试剂 | 第34-35页 |
| 2.3.2 实验仪器及设备 | 第35-36页 |
| 第三章 In_2S_3扭结纳米结构的可控合成及性能研究 | 第36-51页 |
| 3.1 In_2S_3扭结纳米线结构的气相合成 | 第37-38页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第38-49页 |
| 3.2.1 形貌与结构分析 | 第38-42页 |
| 3.2.2 光学性质分析 | 第42-45页 |
| 3.2.3 器件性能研究 | 第45-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 GaSe纳米带的可控合成及性能研究 | 第51-64页 |
| 4.1 GaSe纳米带的气相合成 | 第52页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第52-62页 |
| 4.2.1 形貌与结构分析 | 第52-54页 |
| 4.2.2 光学性质分析 | 第54-57页 |
| 4.2.3 器件性能研究 | 第57-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 In_2O_3-In_2S_3异质结构筑及性能研究 | 第64-76页 |
| 5.1 In_2O_3-In_2S_3异质结构筑 | 第65-66页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第66-74页 |
| 5.2.1 形貌与结构分析 | 第66-71页 |
| 5.2.2 光学性质分析 | 第71-72页 |
| 5.2.3 器件性能研究 | 第72-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 结论及展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第90页 |