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多晶硅还原炉内流动与传热过程数值模拟与优化

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 背景第10-11页
    1.2 多晶硅的性质第11-12页
    1.3 多晶硅产业发展现状与发展趋势第12-14页
        1.3.1 国外多晶硅产业的发展现状第12-13页
        1.3.2 国内多晶硅产业的发展现状第13-14页
    1.4 多晶硅生产工艺第14-19页
        1.4.1 冶金法第15-16页
        1.4.2 硅烷热分解法第16页
        1.4.3 流化床法第16-17页
        1.4.4 改良西门子法第17-19页
    1.5 计算流体力学第19-21页
    1.6 模型数值模拟求解第21页
    1.7 化学气相沉积反应简介第21-22页
    1.8 本文研究思路与方法第22-24页
        1.8.1 研究思路第22-23页
        1.8.2 研究方法第23-24页
第二章 数学模型及几何建模第24-41页
    2.1 前言第24页
    2.2 数学模型建立第24-30页
        2.2.1 流体基本控制方程的建立第24-26页
        2.2.2 湍流模型第26-28页
        2.2.3 辐射模型第28-30页
    2.3 几何模型的建立第30-35页
        2.3.1 传统还原炉结构第30-32页
        2.3.2 网格划分第32-34页
        2.3.3 模型假设第34-35页
    2.4 初始边界条件第35-40页
        2.4.1 边界条件设置第35-36页
        2.4.2 混合气体性质第36-39页
        2.4.3 固体材料性质第39-40页
    2.5 本章小结第40-41页
第三章 多晶硅还原炉内流场研究第41-58页
    3.1 前言第41页
    3.2 纯氢气进料流场分析第41-43页
    3.3 传统多晶硅还原炉流场模拟研究第43-48页
    3.4 不同硅棒直径流场研究第48-53页
    3.5 改进后还原炉的流场分析第53-57页
    3.6 本章小结第57-58页
第四章 还原炉温度场研究第58-70页
    4.1 前言第58-59页
    4.2 传统还原炉内的温度场分析第59-62页
    4.3 不同硅棒直径的温度场分析第62-65页
    4.4 改进后的还原炉温度场分析第65-68页
    4.5 本章小结第68-70页
第五章 还原炉内耗能研究第70-77页
    5.1 两种多晶硅还原炉内耗能比较第70-74页
        5.1.1 辐射理论第70-71页
        5.1.2 普通还原炉耗能分析第71-73页
        5.1.3 改进后还原炉耗能分析第73-74页
    5.2 壁面反射率研究第74-76页
        5.2.1 壁面反射率对还原炉温度场的影响第74-75页
        5.2.2 发射率与材料的关系第75-76页
    5.3 本章小结第76-77页
第六章 结论与展望第77-80页
    6.1 结论第77-78页
    6.2 展望第78-80页
参考文献第80-86页
符号表第86-87页
致谢第87-88页

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