| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-42页 |
| 2.1 硅纳米晶体的光电性质 | 第14-21页 |
| 2.1.1 硅纳米晶体的电子性质 | 第14-17页 |
| 2.1.2 硅纳米晶体的光学性质 | 第17-21页 |
| 2.2 硅纳米晶体的掺杂 | 第21-28页 |
| 2.2.1 掺杂硅纳米晶体的合成 | 第21-24页 |
| 2.2.2 掺杂硅纳米晶体的电子性质 | 第24-25页 |
| 2.2.3 掺杂硅纳米晶体的光学性质 | 第25-28页 |
| 2.3 神经突触器件概述 | 第28-40页 |
| 2.3.1 神经突触器件的基本原理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 神经突触器件的分类 | 第29-30页 |
| 2.3.3 电学神经突触器件 | 第30-37页 |
| 2.3.4 光电神经突触器件 | 第37-40页 |
| 2.4 本论文的研究目的和研究内容 | 第40-42页 |
| 第三章 实验内容和测试仪器 | 第42-50页 |
| 3.1 实验方案 | 第42-43页 |
| 3.1.1 硅纳米晶体的合成与掺杂 | 第42页 |
| 3.1.2 硼掺杂硅纳米晶体的表征 | 第42页 |
| 3.1.3 玻璃基硅纳米晶体光电神经突触器件研究 | 第42-43页 |
| 3.1.4 柔性硅纳米晶体光电神经突触器件研究 | 第43页 |
| 3.2 结构表征设备 | 第43-46页 |
| 3.2.1 X射线衍射仪 | 第43-44页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜 | 第44页 |
| 3.2.3 扫描电子显徽镜 | 第44页 |
| 3.2.4 扫描隧道显微镜 | 第44-45页 |
| 3.2.5 X射线光电子能谱仪 | 第45页 |
| 3.2.6 电子顺磁共振谱仪 | 第45-46页 |
| 3.3 光学性能表征设备 | 第46页 |
| 3.3.1 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第46页 |
| 3.3.2 傅里叶红外光谱仪 | 第46页 |
| 3.4 光电神经突触器件制备相关设备 | 第46-47页 |
| 3.4.1 手套箱 | 第46-47页 |
| 3.4.2 超声波细胞粉碎机 | 第47页 |
| 3.4.3 匀胶机 | 第47页 |
| 3.4.4 加热台 | 第47页 |
| 3.4.5 热蒸发系统 | 第47页 |
| 3.5 光电神经突触器件性能表征设备 | 第47-50页 |
| 3.5.1 电学性能表征设备 | 第47页 |
| 3.5.2 光电性能表征设备 | 第47-50页 |
| 第四章 硅纳米晶体的掺杂与光电性质表征 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 掺杂硅纳米晶体的合成 | 第50-51页 |
| 4.3 硼掺杂硅纳米晶体的表征 | 第51-58页 |
| 4.3.1 硼掺杂硅纳米晶体的结构与形貌 | 第51-53页 |
| 4.3.2 硼掺杂硅纳米晶体的空穴浓度 | 第53-54页 |
| 4.3.3 硼掺杂硅纳米晶体的电子性质 | 第54-57页 |
| 4.3.4 硼掺杂硅纳米晶体的光学性质 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 硅纳米晶体光电神经突触器件 | 第60-78页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 硅纳米晶体光电神经突触器件的制备 | 第61页 |
| 5.3 玻璃基硅纳米晶体光电神经突触器件的表征 | 第61-73页 |
| 5.3.1 硅纳米晶体光电神经突触器件的结构 | 第61-62页 |
| 5.3.2 硅纳米晶体光电神经突触器件的突触后兴奋电流 | 第62-65页 |
| 5.3.3 硅纳米晶体光电神经突触器件的双脉冲易化 | 第65-66页 |
| 5.3.4 硅纳米晶体光电神经突触器件的长时程可塑性 | 第66-69页 |
| 5.3.5 硅纳米晶体光电神经突触器件的尖峰时序可塑性 | 第69-73页 |
| 5.4 柔性硅纳米晶体光电神经突触器件 | 第73-74页 |
| 5.5 硅纳米晶体光电神经突触器件机理分析 | 第74-76页 |
| 5.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 全文总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 个人简历 | 第90-92页 |
| 攻读学位期间发表的论文和其他科研成果 | 第92页 |
