摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 二维材料简介 | 第11-16页 |
1.1.1 石墨烯 | 第11-12页 |
1.1.2 六方氮化硼(h-BN) | 第12页 |
1.1.3 石墨相碳氮化物(g-C_3N_4) | 第12页 |
1.1.4 过渡金属二硫化物(TMDs) | 第12-13页 |
1.1.5 黑磷(BP) | 第13-14页 |
1.1.6 Ⅲ-Ⅵ族层状半导体 | 第14页 |
1.1.7 二维层状过渡金属碳化物或者氮化物(MXenes) | 第14页 |
1.1.8 金属磷三硫化物 | 第14-15页 |
1.1.9 层状双氢氧化物(LDHs) | 第15页 |
1.1.10 金属氧化物 | 第15-16页 |
1.2 Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的合成及研究现状 | 第16-25页 |
1.2.1 氧化锗(GeO_2)纳米晶 | 第16-17页 |
1.2.2 硫化锗(GeS)/硒化锗(GeSe)纳米晶 | 第17-19页 |
1.2.3 碲化锗(GeTe)纳米晶 | 第19-20页 |
1.2.4 氧化锡纳米晶 | 第20-22页 |
1.2.5 硫化锡纳米晶 | 第22-23页 |
1.2.6 硒化锡纳米晶 | 第23-24页 |
1.2.7 碲化锡纳米晶 | 第24-25页 |
1.3 本研究工作的背景、意义及主要内容 | 第25-27页 |
1.3.1 本研究工作的背景与意义 | 第25-26页 |
1.3.2 本研究的主要内容 | 第26-27页 |
第二章 实验方法 | 第27-35页 |
2.1 实验原料 | 第27页 |
2.2 实验仪器和设备 | 第27-28页 |
2.3 样品的制备 | 第28-29页 |
2.3.1 块体Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的合成 | 第28页 |
2.3.2 二维Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的合成 | 第28-29页 |
2.4 样品检测与性能表征 | 第29-32页 |
2.4.1 扫面电子显微镜(SEM) | 第29页 |
2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第29-30页 |
2.4.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第30页 |
2.4.4 透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
2.4.5 原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
2.4.6 拉曼光谱(Raman Spectra) | 第30-31页 |
2.4.7 紫外-可见吸收光谱(UV-VIS) | 第31页 |
2.4.8 光电性能测试 | 第31页 |
2.4.9 非线性光学性能测试 | 第31-32页 |
2.5 第一性原理计算能带和电子态密度 | 第32-35页 |
2.5.1 GeSe能带和电子态密度计算 | 第32页 |
2.5.2 SnSe能带和电子态密度计算 | 第32-35页 |
第三章 GeSe纳米片的合成和性能测试 | 第35-55页 |
3.1 引言 | 第35-36页 |
3.2 实验方法 | 第36-37页 |
3.2.1 样品的合成及表征 | 第36页 |
3.2.2 样品的稳定性和性能测试 | 第36-37页 |
3.3 实验结果及讨论 | 第37-52页 |
3.3.1 GeSe能带理论计算 | 第37-40页 |
3.3.2 GeSe的形貌和结构表征 | 第40-46页 |
3.3.3 GeSe纳米片稳定性的研究 | 第46-47页 |
3.3.4 GeSe光学性质研究 | 第47-49页 |
3.3.5 GeSe的光电性能测试 | 第49-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-55页 |
第四章 SnSe纳米片的合成及光学性质 | 第55-73页 |
4.1 引言 | 第55-56页 |
4.2 实验方法 | 第56-57页 |
4.2.1 样品的合成及表征 | 第56页 |
4.2.2 样品的性能测试 | 第56-57页 |
4.3 实验结果及讨论 | 第57-70页 |
4.3.1 SnSe能带理论计算 | 第57-60页 |
4.3.2 SnSe的形貌和结构表征 | 第60-66页 |
4.3.3 SnSe光学性质研究 | 第66-67页 |
4.3.4 SnSe的非线性光学性能测试 | 第67-70页 |
4.4 本章小结 | 第70-73页 |
第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-85页 |
致谢 | 第85-87页 |
个人简历 | 第87-89页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第89页 |