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Ⅳ-Ⅵ族二维单硫化物的合成及光学性质研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 二维材料简介第11-16页
        1.1.1 石墨烯第11-12页
        1.1.2 六方氮化硼(h-BN)第12页
        1.1.3 石墨相碳氮化物(g-C_3N_4)第12页
        1.1.4 过渡金属二硫化物(TMDs)第12-13页
        1.1.5 黑磷(BP)第13-14页
        1.1.6 Ⅲ-Ⅵ族层状半导体第14页
        1.1.7 二维层状过渡金属碳化物或者氮化物(MXenes)第14页
        1.1.8 金属磷三硫化物第14-15页
        1.1.9 层状双氢氧化物(LDHs)第15页
        1.1.10 金属氧化物第15-16页
    1.2 Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的合成及研究现状第16-25页
        1.2.1 氧化锗(GeO_2)纳米晶第16-17页
        1.2.2 硫化锗(GeS)/硒化锗(GeSe)纳米晶第17-19页
        1.2.3 碲化锗(GeTe)纳米晶第19-20页
        1.2.4 氧化锡纳米晶第20-22页
        1.2.5 硫化锡纳米晶第22-23页
        1.2.6 硒化锡纳米晶第23-24页
        1.2.7 碲化锡纳米晶第24-25页
    1.3 本研究工作的背景、意义及主要内容第25-27页
        1.3.1 本研究工作的背景与意义第25-26页
        1.3.2 本研究的主要内容第26-27页
第二章 实验方法第27-35页
    2.1 实验原料第27页
    2.2 实验仪器和设备第27-28页
    2.3 样品的制备第28-29页
        2.3.1 块体Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的合成第28页
        2.3.2 二维Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的合成第28-29页
    2.4 样品检测与性能表征第29-32页
        2.4.1 扫面电子显微镜(SEM)第29页
        2.4.2 X射线衍射(XRD)第29-30页
        2.4.3 X射线光电子能谱(XPS)第30页
        2.4.4 透射电子显微镜(TEM)第30页
        2.4.5 原子力显微镜(AFM)第30页
        2.4.6 拉曼光谱(Raman Spectra)第30-31页
        2.4.7 紫外-可见吸收光谱(UV-VIS)第31页
        2.4.8 光电性能测试第31页
        2.4.9 非线性光学性能测试第31-32页
    2.5 第一性原理计算能带和电子态密度第32-35页
        2.5.1 GeSe能带和电子态密度计算第32页
        2.5.2 SnSe能带和电子态密度计算第32-35页
第三章 GeSe纳米片的合成和性能测试第35-55页
    3.1 引言第35-36页
    3.2 实验方法第36-37页
        3.2.1 样品的合成及表征第36页
        3.2.2 样品的稳定性和性能测试第36-37页
    3.3 实验结果及讨论第37-52页
        3.3.1 GeSe能带理论计算第37-40页
        3.3.2 GeSe的形貌和结构表征第40-46页
        3.3.3 GeSe纳米片稳定性的研究第46-47页
        3.3.4 GeSe光学性质研究第47-49页
        3.3.5 GeSe的光电性能测试第49-52页
    3.4 本章小结第52-55页
第四章 SnSe纳米片的合成及光学性质第55-73页
    4.1 引言第55-56页
    4.2 实验方法第56-57页
        4.2.1 样品的合成及表征第56页
        4.2.2 样品的性能测试第56-57页
    4.3 实验结果及讨论第57-70页
        4.3.1 SnSe能带理论计算第57-60页
        4.3.2 SnSe的形貌和结构表征第60-66页
        4.3.3 SnSe光学性质研究第66-67页
        4.3.4 SnSe的非线性光学性能测试第67-70页
    4.4 本章小结第70-73页
第五章 结论与展望第73-75页
参考文献第75-85页
致谢第85-87页
个人简历第87-89页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第89页

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