| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 从无机半导体到有机半导体 | 第10-14页 |
| 1.1.1 无机半导体的发展简述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 有机半导体的发展和应用 | 第11-13页 |
| 1.1.3 有机半导体与无机半导体的差别 | 第13-14页 |
| 1.2 有机半导体材料的分类 | 第14-15页 |
| 1.3 有机电子元件 | 第15-18页 |
| 1.3.1 有机发光二极管（OLED） | 第15-16页 |
| 1.3.2 有机薄膜晶体管 | 第16-17页 |
| 1.3.3 有机太阳能电池 | 第17-18页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 有机半导体中的载流子 | 第20-25页 |
| 2.1 载流子的来源 | 第20页 |
| 2.2 载流子的迁移率 | 第20-23页 |
| 2.2.1 稳态直流电流-电压特性法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 飞行时间法（TOF） | 第22-23页 |
| 2.3 影响迁移率的因素 | 第23-25页 |
| 第三章 有机半导体中载流子的传输机制 | 第25-30页 |
| 3.1 描述有机半导体中载流子传输的模型 | 第25-27页 |
| 3.1.1 小极化子跳跃模型 | 第25-26页 |
| 3.1.2 多重俘获与释放（MTR） | 第26-27页 |
| 3.2 有机半导体中电子的跃迁机制 | 第27-30页 |
| 3.2.1 跃迁的种类 | 第27页 |
| 3.2.2 有机半导体中的激子 | 第27-30页 |
| 第四章 有机层阻抗谱半解析公式 | 第30-37页 |
| 4.1 国内外研究进展 | 第30-32页 |
| 4.2 考虑束缚电荷的有机层阻抗谱半解析公式 | 第32-35页 |
| 4.3 考虑高斯束缚态密度的阻抗谱半解析公式 | 第35-37页 |
| 第五章 数值结果与讨论 | 第37-48页 |
| 5.1 公式正确性的验证 | 第37-38页 |
| 5.2 不考虑束缚电荷并采用Pasveer模型的计算结果和讨论 | 第38-45页 |
| 5.3 在高斯态密度下虑束缚电荷的计算结果和讨论 | 第45-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第56-57页 |