| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-23页 |
| ·纳米技术概述 | 第11-12页 |
| ·半导体低维量子结构 | 第12-15页 |
| ·有序纳米结构 | 第15-16页 |
| ·硅基氧化物薄膜 | 第16-17页 |
| ·论文结构 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-47页 |
| ·分子束外延技术 | 第23-29页 |
| ·锗硅分子束外延 | 第23-26页 |
| ·硅基氧化物薄膜的生长 | 第26-28页 |
| ·衬底的消洗和热预处理过程 | 第28-29页 |
| ·物质的结构表征与物理性质测量 | 第29-45页 |
| ·原子力显微镜及其衍生测量方法 | 第29-35页 |
| ·X射线衍射(X-Ray Diffraction) | 第35-37页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)与俄歇电子能谱(AES) | 第37-40页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第40页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第40-42页 |
| ·电学性质测量 | 第42-43页 |
| ·磁性测量 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 锗硅量子点上硅覆盖层中的纳米坑的形成 | 第47-55页 |
| 摘要 | 第47页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验过程 | 第48-49页 |
| ·纳米坑的形貌特征 | 第49页 |
| ·纳米坑的形成机制 | 第49-52页 |
| ·纳米坑上量子点分子的生长 | 第52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 尺寸均匀的锗硅量子环的生长 | 第55-63页 |
| 摘要 | 第55页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验过程 | 第56页 |
| ·尺寸均匀景子环的制备 | 第56页 |
| ·温度对锗硅量子环均匀性的影响 | 第56-59页 |
| ·量子点密度对锗硅量子环均匀性的影响 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 有序锗硅量子环的生长 | 第63-73页 |
| 摘要 | 第63页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验过程 | 第64-66页 |
| ·NSL与RIE结合制备有序图案模板 | 第66-67页 |
| ·有序纳米结构的均匀性的比较 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第六章 锰氧化物薄膜的生长及结构表征 | 第73-79页 |
| 摘要 | 第73页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·锰氧化物薄膜制备过程 | 第74页 |
| ·锰氧化物薄膜结构分析 | 第74-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第七章 锰氧化物薄膜的物理性质 | 第79-93页 |
| 摘要 | 第79页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验测量 | 第80页 |
| ·锰氧化物薄膜的铁电性质 | 第80-85页 |
| ·锰氧化物薄膜的铁磁性质 | 第85-88页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 发表论文 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |