| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 引言 | 第9-19页 |
| ⅰ.半导体纳米结构 | 第9-10页 |
| ⅱ.半导体纳米结构的制备技术 | 第10页 |
| ⅲ.低能离子束辐射法制备半导体表面自组织纳米结构 | 第10-16页 |
| ⅳ.离子束辐射制备表面自组织纳米结构的问题 | 第16-17页 |
| ⅴ.本论文的主要内容及结构 | 第17-19页 |
| 第一章 离子束诱导形成的表面自组织纳米结构 | 第19-33页 |
| ·离子与固体相互作用 | 第19-20页 |
| ·Sigmund溅射理论 | 第20-23页 |
| ·Bradley-Harper模型和线性连续性方程 | 第23-29页 |
| ·影响表面纳米结构的物理过程以及对Bradley-Harper模型的修正 | 第29-33页 |
| 第二章 金属杂质对离子束引导硅表面纳米点阵形成的影响 | 第33-44页 |
| ·研究背景 | 第33页 |
| ·实验手段 | 第33-36页 |
| ·实验过程、结果和讨论 | 第36-43页 |
| ·Fe杂质对于离子束轰击引导的Si(100)表面点阵结构的影响 | 第36-41页 |
| ·无Fe杂质参与的离子束轰击引起的Si(100)表面平滑化 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 包含金属杂质影响的线性理论模型 | 第44-56页 |
| ·研究背景 | 第44页 |
| ·包含金属杂质影响的线性理论模型 | 第44-48页 |
| ·数值模拟和实验的对比 | 第48-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 金属杂质参与的大束流离子束轰击方法制备黑硅及其光学性质的研究 | 第56-68页 |
| ·研究背景 | 第56页 |
| ·实验手段 | 第56-58页 |
| ·实验结果和讨论 | 第58-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第五章 Ehrlich-Schwoebel效应对于小束流密度离子束轰击引导的表面纳米结构的影响 | 第68-75页 |
| ·研究背景(实验和理论的矛盾) | 第68-69页 |
| ·Ehrlich-Schwoebel效应的产生及影响 | 第69-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第85页 |
| 攻读博士学位期间申请的专利 | 第85页 |
| 攻读博士学位期间所做的学术会议报告 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
