首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

氧化物磁性半导体的电场调控磁性研究

摘要第10-11页
ABSTRACT第11-12页
符号说明第13-14页
第一章 绪论第14-30页
    1.1 概述第14页
    1.2 ZnO基磁性半导体材料第14-24页
        1.2.1 磁性半导体材料第14-16页
        1.2.2 ZnO的基本性质及应用第16-17页
        1.2.3 ZnO基磁性半导体材料的研究现状第17-20页
        1.2.4 氧化物半导体磁性产生的模型第20-23页
        1.2.5 氧化物磁性半导体的制备第23-24页
    1.3 半导体材料中的接触现象第24-26页
    1.4 电控磁性的发展及研究现状第26-29页
    1.5 课题选取及意义第29-30页
第二章 实验方法第30-37页
    2.1 薄膜样品的制备技术第30-33页
        2.1.1 磁控溅射技术(Magnetron Sputtering)第30-32页
        2.1.2 靶材的制备第32-33页
        2.1.3 衬底的选择第33页
    2.2 薄膜样品的表征方法第33-36页
        2.2.1 X射线衍射法(XRD)第33-35页
        2.2.2 样品的形貌表征第35-36页
    2.3 样品的磁性测量第36-37页
第三章 未掺杂ZnO的电控磁性研究第37-48页
    3.1 引言第37页
    3.2 样品制备及测量方法第37-40页
        3.2.1 样品的制备第37-38页
        3.2.2 样品的表征第38-39页
        3.2.3 测量方法第39-40页
    3.3 电场调控磁性的研究第40-47页
        3.3.1 电场对ZnO/NSTO的磁性调控中溅射氩氧比的影响第41-44页
        3.3.2 电场对ZnO/substrate的磁性调控中生长衬底的影响第44-46页
        3.3.3 电场对RRAM结构的磁性调控第46-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第四章 Co:ZnO的电场调控磁性研究第48-61页
    4.1 引言第48页
    4.2 样品制备及测量方法第48-52页
        4.2.1 样品的制备第48-49页
        4.2.2 样品的表征第49-51页
        4.2.3 测量方法第51-52页
    4.3 电场调控磁性的研究第52-60页
        4.3.1 电场对Ag/Co: ZnO/NSTO的磁性调控中掺杂比例的影响第52-55页
        4.3.2 电场对Ag/Co_(0.05)Zn_(0.95)O/NSTO的磁性调控中生长温度的影响第55-57页
        4.3.3 电场对Ag/Co_(0.05)Zn_(0.95)O/Pt的磁性调控中薄膜厚度的影响第57-59页
        4.3.4 电场对Ag/Co_(0.05)Zn_(0.95)O/substrate的磁性调控中衬底的影响第59-60页
    4.4 本章小结第60-61页
第五章 C:ZnO的电场调控磁性研究第61-72页
    5.1 引言第61页
    5.2 样品制备及测量方法第61-64页
        5.2.1 样品的制备第61-62页
        5.2.2 样品的表征第62-64页
        5.2.3 测量方法第64页
    5.3 电场调控磁性的研究第64-70页
        5.3.1 电场对Ag/C: ZnO/NSTO的磁性调控中掺杂比例的影响第64-67页
        5.3.2 电场对Ag/C_(0.01)Zn_(0.99)O/Pt的磁性调控中生长温度的影响第67-69页
        5.3.3 电场对Ag/C_(0.01)Zn_(0.99)O/Pt的磁性调控中薄膜厚度的影响第69-70页
    5.4 本章小结第70-72页
第六章 总结与展望第72-74页
参考文献第74-83页
致谢第83-84页
攻读硕士期间发表的学术论文第84-85页
学位论文评阅及答辩情况表第85页

论文共85页,点击 下载论文
上一篇:基于异构分布式存储系统再生码的优化设计
下一篇:氧化锡基阻变存储器研究及电荷俘获型存储器仿真模拟