| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 主要符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 RRAM器件概述 | 第15-22页 |
| 1.2.1 基本结构和常用材料 | 第15-16页 |
| 1.2.2 RRAM器件阻变模型和导电机制 | 第16-20页 |
| 1.2.3 RRAM器件类型 | 第20-21页 |
| 1.2.4 RRAM相关参数 | 第21-22页 |
| 1.3 电荷俘获型存储器概述 | 第22-30页 |
| 1.3.1 非易失性存储器的发展 | 第22-25页 |
| 1.3.2 电荷俘获型存储器工作原理与可靠性问题 | 第25-28页 |
| 1.3.3 相关参数 | 第28页 |
| 1.3.4 CTM器件发展方向 | 第28-30页 |
| 1.4 课题的选取 | 第30-32页 |
| 第二章 实验设备及分析方法 | 第32-36页 |
| 2.1 实验设备 | 第32-35页 |
| 2.1.1 旋涂仪(Spin-coating) | 第32页 |
| 2.1.2 管式退火炉(Annealing furnace) | 第32-33页 |
| 2.1.3 热蒸发设备(Thermal Evaporation) | 第33-34页 |
| 2.1.4 半导体参数分析仪(Semiconductor Parameter Analyzer) | 第34页 |
| 2.1.5 X射线衍射(X-Ray Diffraction) | 第34-35页 |
| 2.2 仿真模拟软件——Silvaco TCAD | 第35-36页 |
| 第三章 氧化锡基阻变存储器的研究 | 第36-55页 |
| 3.1 器件制备与分析 | 第36-40页 |
| 3.1.1 衬底清洗 | 第36-37页 |
| 3.1.2 Sn02阻变层制备 | 第37-38页 |
| 3.1.3 顶电极生长 | 第38页 |
| 3.1.4 器件特性分析 | 第38-40页 |
| 3.2 器件制备工艺优化 | 第40-51页 |
| 3.2.1 旋涂速度对器件性能的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 氨水浸泡与氨气氛围比较 | 第42-45页 |
| 3.2.3 退火温度的影响 | 第45-49页 |
| 3.2.4 测试方法对测试结果的影响 | 第49-51页 |
| 3.3 器件阻变类型的研究与机理分析 | 第51-53页 |
| 3.3.1 器件阻变极性的研究 | 第51-52页 |
| 3.3.2 器件机理分析 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 电荷俘获型存储器仿真模拟 | 第55-68页 |
| 4.1 MOS电容测试 | 第55-56页 |
| 4.2 MOS结构仿真 | 第56-61页 |
| 4.3 SONOS结构仿真 | 第61-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结 | 第68-70页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第68-69页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |
