碳化硅基外延石墨烯制备及控制方案研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 碳化硅基外延石墨烯 | 第11-14页 |
| 1.2.1 碳化硅基外延石墨烯的生长机理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 碳化硅基外延石墨烯的制备 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-20页 |
| 1.3.1 碳化硅基石墨烯的理论研究 | 第14-17页 |
| 1.3.2 碳化硅基石墨烯制备技术研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3.3 碳化硅基石墨烯应用的国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究依据和研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4.1 研究依据 | 第20-21页 |
| 1.4.2 主要研究内容安排 | 第21页 |
| 1.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 外延制备系统构建及控制方案研究 | 第22-28页 |
| 2.1 研究背景 | 第22页 |
| 2.2 碳化硅基石墨烯设备工艺要求 | 第22-23页 |
| 2.3 碳化硅基石墨烯控制系统的构建 | 第23-27页 |
| 2.3.1 总体设计 | 第23-25页 |
| 2.3.2 外延工作系统方案设计 | 第25页 |
| 2.3.3 气路系统的设计与改进 | 第25-26页 |
| 2.3.4 尾气处理与安全系统的设计与改进 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 碳化硅台阶刻蚀工艺的实验研究 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 刻蚀原理 | 第29页 |
| 3.3 刻蚀实验及表征方法 | 第29-30页 |
| 3.4 刻蚀条件对表面形貌的影响 | 第30-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 碳化硅基石墨烯的CDC制备的研究 | 第36-43页 |
| 4.1 CDC制备的理论研究 | 第36-37页 |
| 4.2 碳化硅基石墨烯CDC制备实验 | 第37页 |
| 4.3 结果讨论与分析 | 第37-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 碳化硅基石墨烯低真空升华制备的研究 | 第43-53页 |
| 5.1 低真空制备的理论研究 | 第43-46页 |
| 5.2 碳化硅基石墨烯的低真空制备实验 | 第46页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第46-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-57页 |
| 6.1 总结 | 第53-55页 |
| 6.2 存在的问题与下一步的工作 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第64页 |
