| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-28页 |
| 1.1 非挥发存储器技术 | 第9-16页 |
| 1.1.1 非挥发存储器技术概述 | 第9-12页 |
| 1.1.2 电荷俘获存储器技术 | 第12-14页 |
| 1.1.3 可靠性问题 | 第14-16页 |
| 1.2 非挥发存储器电离辐射特性研究 | 第16-25页 |
| 1.2.1 辐射环境与电离辐射效应 | 第16-18页 |
| 1.2.2 抗辐射非挥发存储器应用需求 | 第18-19页 |
| 1.2.3 非挥发存储器辐射特性研究 | 第19-24页 |
| 1.2.4 非挥发存储器辐射加固技术 | 第24-25页 |
| 1.3 抗辐射非挥发存储器研究关键问题 | 第25-26页 |
| 1.4 论文的研究内容和主要贡献 | 第26-27页 |
| 1.5 论文各部分的主要内容 | 第27-28页 |
| 第2章 SONOS 存储器件设计及辐射特性研究 | 第28-47页 |
| 2.1 非挥发存储器件基本辐射特性 | 第28-30页 |
| 2.1.1 辐射实验方法 | 第28页 |
| 2.1.2 FG 存储器件辐射特性 | 第28-29页 |
| 2.1.3 SONOS 存储器件辐射特性 | 第29-30页 |
| 2.2 SONOS 存储器件设计及工艺实现 | 第30-33页 |
| 2.2.1 SONOS 存储器件设计 | 第30-32页 |
| 2.2.2 SONOS 工艺实验结果 | 第32-33页 |
| 2.3 SONOS 器件存储特性研究 | 第33-38页 |
| 2.3.1 SONOS 器件基本特性 | 第33-35页 |
| 2.3.2 SONOS 器件擦除问题研究 | 第35-38页 |
| 2.4 SONOS 器件的辐射特性与退化机理研究 | 第38-46页 |
| 2.4.1 SONOS 存储器件的阈值退化模型 | 第38-43页 |
| 2.4.2 SONOS 存储器件的阈值漂移特性 | 第43-44页 |
| 2.4.3 SONOS 存储单元的漏电流退化特性 | 第44-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 SONOS 存储器电路辐射特性研究及加固设计 | 第47-88页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 SONOS 存储器电路系统设计 | 第47-57页 |
| 3.2.1 闪存芯片功能定义 | 第47-49页 |
| 3.2.2 闪存芯片电路设计 | 第49-53页 |
| 3.2.3 电路测试结果 | 第53-57页 |
| 3.3 SONOS 存储器 TID 辐射特性及退化机理研究 | 第57-74页 |
| 3.3.1 存储器电路辐射实验方法研究 | 第57-60页 |
| 3.3.2 读取通道 TID 辐射特性及退化机理 | 第60-68页 |
| 3.3.3 高压电路 TID 辐射特性和退化机理 | 第68-74页 |
| 3.4 SONOS 存储器单粒子辐射特性研究 | 第74-77页 |
| 3.5 存储器电路辐射加固技术及结果研究 | 第77-86页 |
| 3.5.1 针对 TID 漏电失效的辐射加固技术 | 第77-81页 |
| 3.5.2 针对单粒子闩锁效应辐射加固技术 | 第81-84页 |
| 3.5.3 芯片整体抗辐射性能 | 第84-86页 |
| 3.6 本章小结 | 第86-88页 |
| 第4章 基于 PD-SOI 工艺的抗辐射 SONOS 存储器研究 | 第88-103页 |
| 4.1 SOI 技术引言 | 第88-89页 |
| 4.2 基于 PD-SOI 工艺的存储器隔离技术 | 第89-94页 |
| 4.3 基于 PD-SOI 工艺 CMOS 及 SONOS 器件辐射特性研究 | 第94-97页 |
| 4.3.1 CMOS 器件辐射特性 | 第94-95页 |
| 4.3.2 SONOS 器件辐射特性 | 第95-97页 |
| 4.4 基于 PD-SOI 工艺的 SONOS 存储器电路设计 | 第97-100页 |
| 4.4.1 存储器电路设计 | 第97-98页 |
| 4.4.2 电路版图及流片结果 | 第98-100页 |
| 4.5 基于 PD-SOI 工艺存储器电路辐射特性研究 | 第100-102页 |
| 4.5.1 总剂量辐射实验 | 第100页 |
| 4.5.2 瞬时剂量率辐射实验 | 第100-101页 |
| 4.5.3 单粒子辐射实验 | 第101-102页 |
| 4.6 本章小结 | 第102-103页 |
| 第5章 3D-SONOS 器件可靠性及辐射特性研究 | 第103-129页 |
| 5.1 引言 | 第103页 |
| 5.2 3D 器件基本特性 | 第103-107页 |
| 5.2.1 3D 器件结构设计 | 第103-105页 |
| 5.2.2 3D 器件的存储特性 | 第105-107页 |
| 5.3 3D 器件的可靠性研究 | 第107-121页 |
| 5.3.1 3D 器件的疲劳特性 | 第107-109页 |
| 5.3.2 3D 器件的疲劳应力退化机理 | 第109-111页 |
| 5.3.3 3D 器件的 RAC 特性 | 第111-117页 |
| 5.3.4 3D 器件的氧化层可靠性 | 第117-121页 |
| 5.4 3D 器件辐射退化机理研究 | 第121-127页 |
| 5.4.1 3D 器件辐射特性 | 第121-122页 |
| 5.4.2 漏电流分析 | 第122-123页 |
| 5.4.3 亚阈值斜率分析 | 第123-124页 |
| 5.4.4 阈值电压漂移 | 第124-126页 |
| 5.4.5 阈值电压损失模型 | 第126-127页 |
| 5.5 本章小结 | 第127-129页 |
| 第6章 结论 | 第129-132页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第129-130页 |
| 6.2 论文的创新点 | 第130-131页 |
| 6.3 进一步研究的展望 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第142-143页 |
