| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第13-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-81页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 稀土发光材料的研究进展 | 第18-47页 |
| 2.2.1 稀土的基本性质 | 第18-21页 |
| 2.2.2 基于稀土掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的器件的电致发光 | 第21-26页 |
| 2.2.3 基于稀土掺杂硅基材料的器件的电致发光 | 第26-34页 |
| 2.2.4 基于稀土掺杂氧化物半导体材料的器件的电致发光 | 第34-44页 |
| 2.2.5 基于稀土掺杂其它基质材料的器件的电致发光 | 第44-47页 |
| 2.3 CeO_2体系的发光性能研究 | 第47-73页 |
| 2.3.1 CeO_2的基本性质及主要应用简介 | 第47-51页 |
| 2.3.2 纯CeO_2体系发光性能研究进展 | 第51-58页 |
| 2.3.3 稀土掺杂CeO_2体系发光性能研究进展 | 第58-73页 |
| 2.4 ZrO_2体系的发光性能研究 | 第73-79页 |
| 2.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 第三章 材料和器件的制备方法及表征 | 第81-85页 |
| 3.1 材料和器件的制备设备 | 第81页 |
| 3.1.1 磁控溅射设备 | 第81页 |
| 3.1.2 热处理设备 | 第81页 |
| 3.2 材料和器件的制备工艺 | 第81-82页 |
| 3.2.1 衬底的准备 | 第81-82页 |
| 3.2.2 发光层薄膜的制备 | 第82页 |
| 3.2.3 电极的制备 | 第82页 |
| 3.3 材料和器件性能的表征方法及设备 | 第82-85页 |
| 3.3.1 薄膜厚度、表面形貌和晶体结构、组成的表征 | 第82-83页 |
| 3.3.2 薄膜和器件的光学性能 | 第83-84页 |
| 3.3.3 器件的电学性能 | 第84-85页 |
| 第四章 基于CeO_2薄膜的硅基MOS结构器件的紫外-可见电致发光 | 第85-97页 |
| 4.1 引言 | 第85-86页 |
| 4.2 CeO_2薄膜及其构成的MOS器件的制备 | 第86-87页 |
| 4.3 CeO_2薄膜物理性质的表征 | 第87-90页 |
| 4.4 基于CeO_2薄膜的硅基MOS器件的电致发光 | 第90-95页 |
| 4.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 第五章 基于掺铒CeO_2薄膜的硅基MOS器件的可见及红外电致发光 | 第97-115页 |
| 5.1 引言 | 第97-98页 |
| 5.2 CeO_2：Er薄膜及其MOS结构器件的制备 | 第98-99页 |
| 5.3 CeO_2：Er薄膜的物理性质表征 | 第99-100页 |
| 5.4 CeO_2：Er薄膜的光致发光 | 第100-103页 |
| 5.5 基于CeO_2：Er薄膜的MOS器件的电致发光 | 第103-108页 |
| 5.6 基于CeO_2：Er薄膜的MOS器件的Ⅰ-Ⅴ特性及载流子输运性质 | 第108-110页 |
| 5.7 基于CeO_2：Er薄膜的MOS器件的电致发光机理 | 第110-112页 |
| 5.8 本章小结 | 第112-115页 |
| 第六章 基于掺铕CeO_2薄膜的硅基MOS器件的电致发光 | 第115-131页 |
| 6.1 引言 | 第115-116页 |
| 6.2 CeO_2：Eu薄膜及其MOS结构器件的制备 | 第116-117页 |
| 6.3 CeO_2：Eu薄膜的晶相和光学性质表征 | 第117-121页 |
| 6.4 基于CeO_2：Eu薄膜的MOS器件的电致发光 | 第121-122页 |
| 6.5 基于CeO_2：Eu薄膜的MOS器件的Ⅰ-Ⅴ特性及载流子输运性质 | 第122-126页 |
| 6.6 基于CeO_2：Eu薄膜的MOS器件的电致发光机理 | 第126-128页 |
| 6.7 本章小结 | 第128-131页 |
| 第七章 基于稀土掺杂ZrO_2薄膜的硅基MOS器件电致发光的探索 | 第131-147页 |
| 7.1 引言 | 第131-132页 |
| 7.2 ZrO_2薄膜及基于ZrO_2薄膜的MOS器件的制备 | 第132-133页 |
| 7.3 ZrO_2薄膜的光致发光性能和XPS表征 | 第133-136页 |
| 7.4 基于ZrO_2薄膜的MOS器件的Ⅰ-Ⅴ特性及电输运性质 | 第136-137页 |
| 7.5 基于ZrO_2薄膜的MOS器件的电致发光 | 第137-139页 |
| 7.6 基于ZrO_2薄膜的MOS器件的电致发光机理 | 第139-140页 |
| 7.7 ZrO_2：RE薄膜的光致发光 | 第140-142页 |
| 7.8 基于ZrO_2：RE薄膜的MOS器件的电致发光 | 第142-145页 |
| 7.9 本章小结 | 第145-147页 |
| 第八章 总结 | 第147-151页 |
| 8.1 结论 | 第147-150页 |
| 8.2 展望 | 第150-151页 |
| 参考文献 | 第151-167页 |
| 致谢 | 第167-169页 |
| 个人简历 | 第169-171页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第171-172页 |
