| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-43页 |
| 2.1 硅、锗纳米晶体的性质 | 第15-22页 |
| 2.1.1 硅、锗材料 | 第15-16页 |
| 2.1.2 硅纳米晶体的性质 | 第16-19页 |
| 2.1.3 锗纳米晶体的性质 | 第19-22页 |
| 2.2 硅、锗纳米晶体的掺杂 | 第22-27页 |
| 2.2.1 半导体纳米晶体掺杂的意义 | 第22-23页 |
| 2.2.2 纳米晶体掺杂的理论模型 | 第23-25页 |
| 2.2.3 硅纳米晶体的掺杂研究 | 第25-27页 |
| 2.2.4 锗纳米晶体的掺杂研究 | 第27页 |
| 2.3 晶体硅的掺杂 | 第27-33页 |
| 2.3.1 晶体硅掺杂的介绍 | 第27-28页 |
| 2.3.2 常用的硅片掺杂方法 | 第28-31页 |
| 2.3.3 丝网印刷掺杂 | 第31-33页 |
| 2.4 薄膜场效应晶体管 | 第33-40页 |
| 2.4.1 薄膜晶体管的结构和原理 | 第34-35页 |
| 2.4.2 薄膜晶体管的性能分析 | 第35-38页 |
| 2.4.3 基于硅、锗纳米晶体的薄膜晶体管研究 | 第38-40页 |
| 2.5 本论文的研究目的和研究思路 | 第40-43页 |
| 第三章 实验机理、制备工艺和表征手段 | 第43-51页 |
| 3.1 硼、磷掺杂的硅、锗纳米晶体的制备与表征 | 第43-46页 |
| 3.1.1 等离子体原理 | 第43页 |
| 3.1.2 冷等离子体法制备硼、磷掺杂的硅、锗纳米晶体 | 第43-44页 |
| 3.1.3 硅、锗纳米晶体的表征 | 第44-46页 |
| 3.2 硅浆料的制备和应用 | 第46-47页 |
| 3.2.1 硅浆料的制备 | 第46页 |
| 3.2.2 硅浆料在硅片掺杂中的应用 | 第46页 |
| 3.2.3 硅浆料相关设备简介 | 第46-47页 |
| 3.3 锗纳米晶体薄膜晶体管的制备和分析 | 第47-51页 |
| 3.3.1 锗墨水的制备 | 第47页 |
| 3.3.2 薄膜晶体管的制备和测试 | 第47-48页 |
| 3.3.3 薄膜晶体管相关设备简介 | 第48-51页 |
| 第四章 基于磷掺杂硅纳米晶体的硅浆料 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 磷掺杂硅纳米晶体的制备和表征 | 第52-54页 |
| 4.2.1 磷掺杂硅纳米晶体的制备 | 第52页 |
| 4.2.2 磷掺杂硅纳米晶体的表征 | 第52-54页 |
| 4.3 磷掺杂硅浆料的制备和应用 | 第54-63页 |
| 4.3.1 磷掺杂硅浆料的制备和使用 | 第54-56页 |
| 4.3.2 不同硅纳米晶体含量 | 第56-57页 |
| 4.3.3 不同硅纳米晶掺磷浓度 | 第57-58页 |
| 4.3.4 不同热处理温度和时间 | 第58-59页 |
| 4.3.5 不同热处理方式 | 第59-60页 |
| 4.3.6 碳沾污及其解决办法 | 第60-61页 |
| 4.3.7 其他磷源的引入 | 第61-62页 |
| 4.3.8 不同有机溶剂 | 第62-63页 |
| 4.3.9 硅浆料的稳定性 | 第63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 基于硼掺杂硅纳米晶体的硅浆料 | 第65-73页 |
| 5.1 引言 | 第65-66页 |
| 5.2 硼掺杂硅纳米晶体的制备和表征 | 第66-68页 |
| 5.2.1 硼掺杂硅纳米晶体的制备 | 第66-67页 |
| 5.2.2 硼掺杂硅纳米晶体的表征 | 第67-68页 |
| 5.3 硼掺杂硅浆料的制备和应用 | 第68-71页 |
| 5.3.1 硼掺杂硅浆料的制备和使用 | 第68-69页 |
| 5.3.2 不同硅纳米晶体掺硼浓度 | 第69-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 基于磷掺杂锗纳米晶体的薄膜晶体管 | 第73-95页 |
| 6.1 引言 | 第73页 |
| 6.2 磷掺杂锗纳米晶体的制备和表征 | 第73-80页 |
| 6.2.1 磷掺杂锗纳米晶体的制备 | 第73-74页 |
| 6.2.2 锗纳米晶体的磷掺杂 | 第74-76页 |
| 6.2.3 磷掺杂锗纳米晶体的内应力 | 第76-77页 |
| 6.2.4 磷掺杂锗纳米晶体的氧化 | 第77-80页 |
| 6.3 薄膜晶体管的制备、测试和分析 | 第80-93页 |
| 6.3.1 薄膜晶体管的制备、测试和分析 | 第80-83页 |
| 6.3.2 不同结构的锗纳米晶薄膜晶体管 | 第83-84页 |
| 6.3.3 不同锗纳米晶薄膜厚度 | 第84-87页 |
| 6.3.4 不同热处理温度和时间 | 第87-89页 |
| 6.3.5 不同锗纳米晶大小 | 第89-90页 |
| 6.3.6 不同锗纳米晶磷掺杂浓度和ALD处理 | 第90-92页 |
| 6.3.7 锗纳米晶中磷原子的激活效率 | 第92-93页 |
| 6.4 本章小结 | 第93-95页 |
| 第七章 基于硼掺杂锗纳米晶体的薄膜晶体管 | 第95-105页 |
| 7.1 引言 | 第95页 |
| 7.2 硼掺杂锗纳米晶体的制备和表征 | 第95-100页 |
| 7.2.1 硼掺杂锗纳米晶体的制备 | 第95-98页 |
| 7.2.2 硼掺杂锗纳米晶体的内应力 | 第98页 |
| 7.2.3 硼掺杂锗纳米晶体的表面和氧化 | 第98-100页 |
| 7.3 薄膜晶体管的制备、测试和分析 | 第100-103页 |
| 7.3.1 薄膜晶体管的制备 | 第100-101页 |
| 7.3.2 不同锗纳米晶硼掺杂浓度 | 第101-102页 |
| 7.3.3 硼原子的激活效率 | 第102-103页 |
| 7.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 第八章 结论 | 第105-109页 |
| 8.1 全文总结 | 第105-106页 |
| 8.2 主要创新点 | 第106-107页 |
| 8.3 未来工作展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 个人简历 | 第121-123页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和其他科研成果 | 第123页 |