| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展、结构、工作原理和性能参数 | 第11-17页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的结构 | 第13-14页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.4 薄膜晶体管的性能参数 | 第15-17页 |
| 1.3 双电层薄膜晶体管简介 | 第17-22页 |
| 1.3.1 双电层薄膜晶体管的发展历程 | 第17-18页 |
| 1.3.2 双电层薄膜晶体管的工作原理 | 第18-20页 |
| 1.3.3 双电层薄膜晶体管的结构 | 第20-21页 |
| 1.3.4 双电层薄膜晶体管的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 海藻酸钠为栅介质EDLTS的最新进展 | 第22-24页 |
| 1.5 本文的研究内容及意义 | 第24-25页 |
| 第2章 薄膜晶体管的制备工艺与表征技术 | 第25-32页 |
| 2.1 薄膜晶体管衬底的清洗 | 第25-26页 |
| 2.2 常见化学镀膜方法介绍 | 第26页 |
| 2.3 磁控溅射沉积技术 | 第26页 |
| 2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
| 2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第27-28页 |
| 2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第28-29页 |
| 2.7 热重/差热综合分析仪(TG/DTA) | 第29页 |
| 2.8 比表面积孔隙率分析仪(BET) | 第29-30页 |
| 2.9 半导体参数测试系统 | 第30页 |
| 2.10 阻抗分析仪 | 第30-31页 |
| 2.11 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 海藻酸钠(SA)质子导体膜的制备与性能分析 | 第32-41页 |
| 3.1 海藻酸钠质子导体膜的性质和结构 | 第32-33页 |
| 3.2 海藻酸钠质子导体膜的制备和性能分析 | 第33-40页 |
| 3.2.1 海藻酸钠质子导体膜的制备 | 第33页 |
| 3.2.2 海藻酸钠质子导体膜的微结构分析 | 第33-34页 |
| 3.2.3 海藻酸钠质子导体膜的电容特性和质子导电特性 | 第34-38页 |
| 3.2.4 海藻酸钠质子导体膜的热重、比表面积和XPS分析 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 海藻酸钠质子导体膜为栅介质的低电压IZO EDLTs的性能分析 | 第41-59页 |
| 4.1 一步掩膜法制备IZO EDLTS | 第41-43页 |
| 4.1.1 IZO EDLTs的制备 | 第41-43页 |
| 4.1.2 IZO EDLTs的光学透射率 | 第43页 |
| 4.2 IZO EDLTS的电学性能 | 第43-56页 |
| 4.2.1 底栅结构IZO EDLTs的电学性能 | 第43-46页 |
| 4.2.2 侧栅结构IZO EDLTs的电学性能 | 第46-49页 |
| 4.2.3 无底栅结构IZO EDLTs的电学性能 | 第49-53页 |
| 4.2.4 不同工作电压下侧栅结构IZO EDLTs的电学性能 | 第53-54页 |
| 4.2.5 不同SA栅介质厚度的底栅结构IZO EDLTs的电学性能 | 第54-56页 |
| 4.3 SA为栅介质IZO EDLTS的工作机理 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 海藻酸钠质子导体膜为栅介质的低电压IZO EDLTs的阈值电压调控 | 第59-69页 |
| 5.1 不同沟道厚度IZO EDLTS的制备 | 第59-60页 |
| 5.2 一步掩膜法制备底栅结构IZO EDLTS的阈值电压调控 | 第60-64页 |
| 5.3 一步掩膜法制备侧栅结构IZO EDLTS的阈值电压调控 | 第64-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第6章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
