基于电化学沉积法的碲化铋纳米材料的可控制备与表征

摘要	第4-6页
Abstract	第6-7页
1 绪论	第10-22页
1.1 引言	第10-11页
1.2 相变存储器概述	第11-14页
1.3 碲化铋相变纳米材料进展	第14-21页
1.4 本文选题意义及研究内容	第21-22页
2 FTO导电玻璃上碲化铋薄膜电化学控制生长	第22-30页
2.1 材料合成与制备	第22-24页
2.2 碲化铋薄膜表征	第24-28页
2.3 本章小结	第28-30页
3 电化学沉积法制备碲化铋纳米线阵列	第30-42页
3.1 多孔氧化铝模板的制备	第30-35页
3.2 电化学沉积BI-TE纳米线阵列	第35-40页
3.3 碲化铋纳米线的生长机理	第40页
3.4 本章小结	第40-42页
4 电化学沉积法制备碲化铋纳米管阵列	第42-51页
4.1 特殊结构多孔氧化铝模板的制备	第42-44页
4.2 电化学沉积碲化铋纳米管	第44-47页
4.3 多孔氧化铝孔径对纳米线成分的影响	第47-49页
4.4 本章小结	第49-51页
5 总结与展望	第51-53页
致谢	第53-54页
参考文献	第54-60页
附录 1（攻读学位期间发表学术成果目录）	第60页