脊型波导852nm半导体激光器模式特性研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 半导体激光器发展历程 | 第10-11页 |
1.2 半导体激光器的研究现状 | 第11-14页 |
1.3 本文的研究工作 | 第14-16页 |
第2章 边发射激光器理论基础 | 第16-26页 |
2.1 半导体激光器的工作原理 | 第16-18页 |
2.2 半导体激光器的特性 | 第18-22页 |
2.3 量子阱激光器 | 第22-24页 |
2.4 本章小结 | 第24-26页 |
第3章 边发射激光器侧向模式模拟及理论分析 | 第26-38页 |
3.1 模式理论基础 | 第26-27页 |
3.2 侧向模式稳定性 | 第27-29页 |
3.3 侧向模式选择 | 第29页 |
3.4 建立实际器件的模型及仿真 | 第29-36页 |
3.4.1 导引机制稳定性仿真及结果分析 | 第30-34页 |
3.4.2 侧向模式特性仿真及结果分析 | 第34-36页 |
3.5 本章小结 | 第36-38页 |
第4章 激光器工艺制备及工艺物理分析 | 第38-50页 |
4.1 边发射激光器结构设计及版图设计 | 第38-40页 |
4.1.1 外延片结构 | 第38-39页 |
4.1.2 光刻版设计 | 第39-40页 |
4.2 工艺流程及关键工艺步骤 | 第40-48页 |
4.2.1 工艺制备流程 | 第40-43页 |
4.2.2 基本技术中的关键操作 | 第43-46页 |
4.2.3 关键工艺步骤 | 第46-48页 |
4.3 本章小结 | 第48-50页 |
第5章 测试结果及分析 | 第50-62页 |
5.1 激光器整体结构 | 第50页 |
5.2 16μm脊宽激光器测试分析 | 第50-53页 |
5.3 5μm脊宽激光器测试分析 | 第53-60页 |
5.3.1 P-I-V功率曲线对比 | 第54-56页 |
5.3.2 侧向模式特性对比 | 第56-58页 |
5.3.3 温度特性对比 | 第58-60页 |
5.4 本章小结 | 第60-62页 |
结论 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第68-70页 |
致谢 | 第70页 |