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脊型波导852nm半导体激光器模式特性研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 半导体激光器发展历程第10-11页
    1.2 半导体激光器的研究现状第11-14页
    1.3 本文的研究工作第14-16页
第2章 边发射激光器理论基础第16-26页
    2.1 半导体激光器的工作原理第16-18页
    2.2 半导体激光器的特性第18-22页
    2.3 量子阱激光器第22-24页
    2.4 本章小结第24-26页
第3章 边发射激光器侧向模式模拟及理论分析第26-38页
    3.1 模式理论基础第26-27页
    3.2 侧向模式稳定性第27-29页
    3.3 侧向模式选择第29页
    3.4 建立实际器件的模型及仿真第29-36页
        3.4.1 导引机制稳定性仿真及结果分析第30-34页
        3.4.2 侧向模式特性仿真及结果分析第34-36页
    3.5 本章小结第36-38页
第4章 激光器工艺制备及工艺物理分析第38-50页
    4.1 边发射激光器结构设计及版图设计第38-40页
        4.1.1 外延片结构第38-39页
        4.1.2 光刻版设计第39-40页
    4.2 工艺流程及关键工艺步骤第40-48页
        4.2.1 工艺制备流程第40-43页
        4.2.2 基本技术中的关键操作第43-46页
        4.2.3 关键工艺步骤第46-48页
    4.3 本章小结第48-50页
第5章 测试结果及分析第50-62页
    5.1 激光器整体结构第50页
    5.2 16μm脊宽激光器测试分析第50-53页
    5.3 5μm脊宽激光器测试分析第53-60页
        5.3.1 P-I-V功率曲线对比第54-56页
        5.3.2 侧向模式特性对比第56-58页
        5.3.3 温度特性对比第58-60页
    5.4 本章小结第60-62页
结论第62-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第68-70页
致谢第70页

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