852nm半导体激光器的工艺制备及其特性分析
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体激光器的介绍 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体激光的应用领域 | 第10-11页 |
| 1.3 852nm半导体激光器的国内外状况 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文研究内容和实验安排 | 第12-15页 |
| 第2章 半导体激光器基础原理 | 第15-27页 |
| 2.1 半导体激光器的原理 | 第15页 |
| 2.2 实现半导体激光器的基本条件 | 第15-19页 |
| 2.2.1 粒子数反转 | 第15-17页 |
| 2.2.2 谐振腔 | 第17-18页 |
| 2.2.3 阈值条件 | 第18-19页 |
| 2.3 半导体激光器的温度特性的研究 | 第19-22页 |
| 2.3.1 半导体激光器的阈值电流与温度 | 第20页 |
| 2.3.2 温度对半导体激光器的光谱影响 | 第20-22页 |
| 2.4 半导体激光器主要电特性参数 | 第22页 |
| 2.5 半导体激光器的光学特性参数 | 第22-24页 |
| 2.6 条形F-P腔半导体激光器的结构以及优点 | 第24-25页 |
| 2.7 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 外延片的制备和器件结构参数的设计 | 第27-37页 |
| 3.1 半导体激光器的外延片的制备 | 第27-30页 |
| 3.1.1 MOCVD的介绍 | 第28-29页 |
| 3.1.2 外延片质量的测试技术 | 第29页 |
| 3.1.3 半导体激光器外延片测试的结果 | 第29-30页 |
| 3.2 半导体激光器件结构参数设计 | 第30-35页 |
| 3.2.1 半导体激光器的脊宽设计 | 第30-33页 |
| 3.2.2 半导体激光器腔长的设计 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 852nm半导体激光器的制备工艺流程 | 第37-61页 |
| 4.1 对传统的半导体激光器制备工艺进行优化 | 第37-44页 |
| 4.2 后工艺中的主要工艺技术的介绍 | 第44-59页 |
| 4.2.1 光刻 | 第44-47页 |
| 4.2.2 湿法腐蚀 | 第47-48页 |
| 4.2.3 PECVD溅射二氧化硅 | 第48页 |
| 4.2.4 衬底的减薄 | 第48-49页 |
| 4.2.5 溅射电极 | 第49页 |
| 4.2.6 剥离电极金属 | 第49页 |
| 4.2.7 快速退火 | 第49-53页 |
| 4.2.8 镀膜 | 第53-55页 |
| 4.2.9 封装烧结 | 第55-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 852nm半导体激光器的性能研究 | 第61-73页 |
| 5.1 测试852nm半导体激光器 | 第61-62页 |
| 5.2 半导体激光器变腔长测试 | 第62-64页 |
| 5.3 半导体激光器的温度特性的研究分析 | 第64-71页 |
| 5.3.1 温度对P-I特性的影响 | 第64-66页 |
| 5.3.2 温度对V-I特性的影响 | 第66-69页 |
| 5.3.3 温度对光谱的影响 | 第69-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
