硅基微结构半导体中子探测器的工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 中子探测器概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 中子的探测方法 | 第9-12页 |
| 1.1.2 中子探测器的分类 | 第12-14页 |
| 1.2 研究意义及发展现状 | 第14-18页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第18页 |
| 1.3 研究内容和论文安排 | 第18-21页 |
| 第2章 硅基微结构半导体中子探测器 | 第21-29页 |
| 2.1 硅基微结构半导体中子探测器 | 第21-23页 |
| 2.1.1 工作原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 中子转化层的选择 | 第22-23页 |
| 2.2 性能参数 | 第23-27页 |
| 2.2.1 电流电压特性 | 第23-24页 |
| 2.2.2 电容电压特性 | 第24页 |
| 2.2.3 噪声和温度特性 | 第24-25页 |
| 2.2.4 灵敏区面积和窗厚度 | 第25-26页 |
| 2.2.5 输出脉冲幅度 | 第26页 |
| 2.2.6 能量分辨和法诺因子 | 第26页 |
| 2.2.7 探测效率 | 第26-27页 |
| 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 微结构中子探测器的设计及制备 | 第29-45页 |
| 3.1 工艺流程与工艺研究 | 第29-39页 |
| 3.1.1 工艺流程 | 第29-35页 |
| 3.1.2 工艺研究 | 第35-39页 |
| 3.2 器件的封装及测试 | 第39-40页 |
| 3.3 结果分析 | 第40-43页 |
| 3.3.1 湿法腐蚀制备微结构 | 第41页 |
| 3.3.2 侧壁的钝化和扩散 | 第41-42页 |
| 3.3.3 保护环结构 | 第42-43页 |
| 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 微结构中子探测器工艺的优化 | 第45-63页 |
| 4.1 硅的湿法腐蚀 | 第45-53页 |
| 4.1.1 晶体结构 | 第45-47页 |
| 4.1.2 腐蚀机理及腐蚀液的介绍 | 第47-49页 |
| 4.1.3 微结构的制备 | 第49-50页 |
| 4.1.4 实验分析 | 第50-53页 |
| 4.2 扩散工艺与钝化工艺的模拟仿真 | 第53-56页 |
| 4.2.1 Silvaco模拟软件的介绍 | 第53页 |
| 4.2.2 模型的建立 | 第53-54页 |
| 4.2.3 模拟结果进行分析 | 第54-56页 |
| 4.3 保护环结构的研究 | 第56-59页 |
| 4.3.1 保护环结构的制备 | 第56-58页 |
| 4.3.2 测试及分析 | 第58-59页 |
| 4.4 优化后的工艺流程 | 第59-61页 |
| 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
