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碳化硅粉末磁脉冲致密/无压烧结试验研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-10页
第1章 绪论第10-21页
    1.1 引言第10页
    1.2 碳化硅陶瓷烧结工艺第10-12页
        1.2.1 无压烧结第11页
        1.2.2 热压烧结第11页
        1.2.3 反应烧结第11页
        1.2.4 放电等离子烧结第11-12页
        1.2.5 烧结工艺对比第12页
    1.3 无压烧结高致密成形方法的国内外研究现状第12-20页
        1.3.1 碳化硅无压烧结国内外研究现状第12-13页
        1.3.2 超高压成形第13-14页
        1.3.3 爆炸成形第14-15页
        1.3.4 高速压制成形第15页
        1.3.5 磁脉冲成形第15-20页
    1.4 选题意义与研究内容第20-21页
第2章 碳化硅粉末高速致密的有限元模拟第21-34页
    2.1 引言第21页
    2.2 有限元模型的建立第21-24页
        2.2.1 模型的建立第21-22页
        2.2.2 材料模型的选择第22-23页
        2.2.4 接触表的定义第23-24页
        2.2.5 迭代方法的确定第24页
    2.3 粉末致密模拟结果分析第24-29页
        2.3.1 冲头载荷变化第24-25页
        2.3.2 相对密度变化及分布第25-27页
        2.3.3 等效应力变化第27页
        2.3.4 粉末体中位移分布第27-28页
        2.3.5 粉末体密度分布不均匀分析第28-29页
    2.4 工艺参数的影响第29-33页
        2.4.1 冲头速度第29-31页
        2.4.2 压制方式第31-32页
        2.4.3 摩擦系数第32页
        2.4.4 初始粉末高径比第32-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第3章 碳化硅粉末磁脉冲致密试验研究第34-54页
    3.1 引言第34页
    3.2 试验用原材料第34-35页
        3.2.1 粉末原材料第34-35页
        3.2.2 添加剂第35页
    3.3 试验装置第35-37页
        3.3.1 试验设备第35-36页
        3.3.2 试验装置与模具第36-37页
    3.4 试验方案第37-39页
        3.4.1 方案的确定第37-38页
        3.4.2 工艺流程第38-39页
    3.5 试验研究方法第39-42页
        3.5.1 密度第39页
        3.5.2 失重率与线收缩率第39-40页
        3.5.3 X 射线衍射第40页
        3.5.4 扫描电镜第40页
        3.5.5 维氏硬度第40-41页
        3.5.6 断裂韧性第41页
        3.5.7 热膨胀系数第41-42页
    3.6 工艺参数对压坯体积密度的影响第42-48页
        3.6.1 粘结剂第42-43页
        3.6.2 粉末质量第43-44页
        3.6.3 电容量第44-45页
        3.6.4 放电电压第45-46页
        3.6.5 放电次数第46-47页
        3.6.6 致密方式第47-48页
    3.7 工艺参数对压坯微观结构的影响第48-52页
        3.7.1 粘结剂第48-49页
        3.7.2 放电电压第49-50页
        3.7.3 放电次数第50-51页
        3.7.4 致密方式第51-52页
    3.8 压坯缺陷分析第52-53页
    3.9 本章小结第53-54页
第4章 碳化硅陶瓷烧结体性能与微观结构分析第54-68页
    4.1 引言第54页
    4.2 烧结工艺的确定第54-55页
    4.3 烧结结果分析第55-66页
        4.3.1 物相分析第56-58页
        4.3.2 线收缩率和失重率第58-60页
        4.3.3 工艺参数对体积密度的影响第60-61页
        4.3.4 工艺参数对烧结体性能的影响第61-64页
        4.3.5 工艺参数对烧结体显微结构的影响第64-66页
    4.5 烧结体缺陷与不足分析第66-67页
    4.6 本章小结第67-68页
结论第68-69页
参考文献第69-74页
致谢第74页

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