| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 石墨烯及其应用 | 第9-10页 |
| 1.1.2 离子束辐照石墨烯的意义 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-14页 |
| 第二章 离子束与材料相互作用 | 第14-18页 |
| 2.1 离子在材料中的性能变化 | 第14-15页 |
| 2.1.1 电离和激发 | 第14-15页 |
| 2.1.2 能量损失及能量歧离 | 第15页 |
| 2.2 离子对材料的辐照损伤效应 | 第15-18页 |
| 2.2.1 缺陷产生及类型 | 第16-18页 |
| 第三章 辐照实验平台及样品制备 | 第18-26页 |
| 3.1 750 keV、1 MeV质子束辐照SLG—较高能区对比 | 第18-19页 |
| 3.1.1 实验平台—航天510所空间环境综合辐照模拟设备 | 第18页 |
| 3.1.2 实验样品 | 第18-19页 |
| 3.2 1 MeV质子束辐照SLG—基底的影响 | 第19-21页 |
| 3.2.1 实验平台—北京大学 4.5 MV静电加速器 | 第19-20页 |
| 3.2.2 实验样品 | 第20-21页 |
| 3.3 不同能区（20 keV~2.2 MeV）质子束辐照SLG—能量依赖性 | 第21-26页 |
| 3.3.1 实验平台——近物所 320 KV高电荷态离子综合实验平台 | 第21-23页 |
| 3.3.2 实验平台—北京师范大学 2×1.7 MV串列加速器 | 第23-24页 |
| 3.3.3 实验平台—厦门大学 400 KV离子注入机 | 第24-25页 |
| 3.3.4 实验样品 | 第25-26页 |
| 第四章 表征仪器及相关原理 | 第26-31页 |
| 4.1 光学显微镜（OM） | 第26-27页 |
| 4.2 拉曼光谱仪（Raman Spectroscopy） | 第27-29页 |
| 4.2.1 拉曼光谱原理 | 第27-28页 |
| 4.2.2 拉曼光谱相关参数 | 第28-29页 |
| 4.3 透射电子显微镜（TEM） | 第29-31页 |
| 第五章 实验结果与讨论 | 第31-45页 |
| 5.1 750 keV和 1 MeV质子束辐照硅基底SLG | 第31-35页 |
| 5.1.1 辐照缺陷的拉曼光谱定量分析 | 第31-33页 |
| 5.1.2 质子束能量损失的模拟计算 | 第33-35页 |
| 5.1.3 小结 | 第35页 |
| 5.2 1 MeV质子束辐照SLG—基底的影响 | 第35-36页 |
| 5.2.1 辐照前后SLG的拉曼光谱表征 | 第35-36页 |
| 5.2.2 石墨烯基底对辐照实验的不同影响 | 第36页 |
| 5.3 不同能区质子束辐照SLG—能量依赖性 | 第36-45页 |
| 5.3.1 质子束辐照硅基底SLG | 第36-39页 |
| 5.3.2 质子束辐照自持SLG | 第39-41页 |
| 5.3.3 两类SLG缺陷变化的对比 | 第41页 |
| 5.3.4 与高能区国际上研究结果对比 | 第41-44页 |
| 5.3.5 小结 | 第44-45页 |
| 第六章 结论与展望 | 第45-47页 |
| 6.1 结论 | 第45-46页 |
| 6.2 展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 在学期间的研究成果 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
