| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 AlN 的晶体结构、性质及其用途 | 第11-14页 |
| 1.2.1 AlN 的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 AlN 的性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 AlN 的用途 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究成果及现状 | 第14-15页 |
| 1.3.1 AlN薄膜研究的起因 | 第14-15页 |
| 1.3.2 AlN薄膜取向生长影响因素的研究 | 第15页 |
| 1.3.3 AlN 薄膜的取向生长模型 | 第15页 |
| 1.4 本文的研究目的和内容 | 第15-16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-18页 |
| 第2章 AlN薄膜的制备及表征 | 第18-24页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 射频磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| 2.3 磁控溅射的特点 | 第19页 |
| 2.4 磁控溅射方法制备AlN 薄膜 | 第19-20页 |
| 2.5 触媒CVD法制备AlN薄膜 | 第20页 |
| 2.6 薄膜的测试与分析方法 | 第20-22页 |
| 2.6.1 厚度测量 | 第20-21页 |
| 2.6.2 结构测试 | 第21页 |
| 2.6.3 形貌测试 | 第21-22页 |
| 2.6.4 成分测试 | 第22页 |
| 2.6.5 光学性能测试 | 第22页 |
| 2.7 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 沉积参数对AlN薄膜取向生长的影响 | 第24-40页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 工作气压对AlN 薄膜取向生长的影响 | 第24-28页 |
| 3.3 靶基距对AlN 薄膜取向生长的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 衬底温度对AlN薄膜取向生长的影响 | 第29-30页 |
| 3.5 溅射功率对AlN 薄膜取向生长的影响 | 第30-31页 |
| 3.6 衬底对AlN 薄膜取向生长的影响 | 第31-32页 |
| 3.7 沉积时间对AlN 薄膜取向生长的影响 | 第32-34页 |
| 3.8 CVD 法制备AlN 薄膜 | 第34-39页 |
| 3.8.1 引言 | 第34页 |
| 3.8.2 实验 | 第34-35页 |
| 3.8.3 衬底负偏压对AlN 薄膜生长的影响 | 第35-39页 |
| 3.9 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 AlN薄膜取向生长机制的研究 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 分子平均自由程与AlN 薄膜取向生长的关系 | 第41-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 AlN 薄膜的形貌、成分及光学性质初步研究 | 第47-56页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 AlN 薄膜的表面和断面形貌 | 第47-50页 |
| 5.3 AlN/Si 界面形貌 | 第50-51页 |
| 5.4 AlN 薄膜的光学性质 | 第51-54页 |
| 5.5 AlN 薄膜的成分 | 第54-55页 |
| 5.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间撰写的学术论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |