| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 GaN基材料及微波器件研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN基电子器件小信号等效电路研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的研究内容与安排 | 第12-14页 |
| 第二章 GaN HEMTs工作原理与二端口网络模型 | 第14-24页 |
| 2.1 GaN HEMTs工作原理 | 第14-16页 |
| 2.2 GaN HEMTs器件结构 | 第16-17页 |
| 2.3 GaN HEMTs器件制备与测试 | 第17-19页 |
| 2.4 二端口网络参数矩阵 | 第19-24页 |
| 第三章 GaN HEMTs等效电路模型 | 第24-37页 |
| 3.1 GaN小信号等效电路模型 | 第24-25页 |
| 3.2 等效电路模型各元件物理意义 | 第25-27页 |
| 3.3 小信号等效电路参数提取 | 第27-34页 |
| 3.4 模型的验证与仿真 | 第34-37页 |
| 第四章 GaN HEMTs等效电路参数分析 | 第37-49页 |
| 4.1 GaN HEMTs源电阻特性分析 | 第37-39页 |
| 4.2 GaN HEMTs频率特性分析 | 第39-45页 |
| 4.3 GaN HEMTs跨导特性分析 | 第45-49页 |
| 第五章 GaN HEMTs电流崩塌效应研究 | 第49-54页 |
| 5.1 GaN HEMTs电流崩塌现象 | 第49-51页 |
| 5.2 GaN HEMTs电流崩塌机理 | 第51-54页 |
| 第六章 总结 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附件 | 第60页 |