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密度泛函理论研究钬掺杂硅团簇的结构和性质

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 团簇及硅团簇第8-9页
    1.2 稀土金属掺杂硅团簇第9-11页
    1.3 本文研究意义及内容第11-12页
第二章 基本原理和计算方法第12-19页
    2.1 薛定谔方程第12-14页
        2.1.1 轨道近似第12页
        2.1.2 绝热近似第12-13页
        2.1.3 Hartree-Fock近似第13-14页
    2.2 密度泛函理论第14-16页
        2.2.1 Thomas-Fermi模型第14页
        2.2.2 Hohenberg-Kohn定理第14-16页
        2.2.3 Kohn-Sham方程第16页
    2.3 Gaussian软件简介第16-17页
    2.4 ABCluster软件第17页
    2.5 本文的研究方法第17页
    2.6 本文选取的基组第17-19页
第三章 HoSi_n(n=3-9)团簇及其阴离子结构和性质的研究第19-34页
    3.1 引言第19-20页
    3.2 计算方法第20-21页
    3.3 结果与讨论第21-33页
        3.3.1 HoSi_n(n=3-9)中性和阴离子团簇的几何结构第21-27页
        3.3.2 模拟光电子能谱PES和电子亲和能第27-29页
        3.3.3 相对稳定性第29-31页
        3.3.4 磁性和电荷转移第31-33页
    3.4 本章小结第33-34页
第四章 HoSi_n(n=10-20)团簇的结构和性质研究第34-48页
    4.1 引言第34-35页
    4.2 计算方法第35-36页
    4.3 结果与讨论第36-46页
        4.3.1 HoSi_n(n=10-20)团簇的几何结构第36-40页
        4.3.2 相对稳定性第40-43页
        4.3.3 硬度第43-44页
        4.3.4 电荷转移和磁性第44-46页
    4.4 本章小结第46-48页
结论第48-50页
参考文献第50-58页
致谢第58-59页
在读期间取得的科研成果第59页

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