摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 引言 | 第9-11页 |
1.2 TFT的器件原理以及主要性能参数 | 第11-16页 |
1.2.1 TFT的主要结构 | 第11页 |
1.2.2 TFT 的工作模式 | 第11-14页 |
1.2.3 TFT的性能参数 | 第14-16页 |
1.3 TFT的发展过程 | 第16-19页 |
1.4 氧化物TFT的研究现状 | 第19-21页 |
1.5 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第21-23页 |
第2章 样品的制备技术以及表征手段 | 第23-31页 |
2.1 薄膜的制备仪器 | 第23-28页 |
2.1.1 薄膜旋涂机 | 第23页 |
2.1.2 热蒸发镀膜机 | 第23-25页 |
2.1.3 加热磁力搅拌器 | 第25页 |
2.1.4 磁控溅射镀膜仪 | 第25-26页 |
2.1.5 等离子清洗机 | 第26-27页 |
2.1.6 有源层的图形化 | 第27-28页 |
2.2 薄膜的表征手段以及TFT器件的电学性能测试系统 | 第28-31页 |
2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第28页 |
2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
2.2.3 光致发光谱(PL) | 第28-29页 |
2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
2.2.5 能量色散谱仪(EDS) | 第29页 |
2.2.6 TFT器件电学性能测试仪 | 第29-31页 |
第3章 溶液法制备Al_2O_3绝缘层及其在IGZO-TFT中的应用 | 第31-41页 |
3.1 不同绝缘层IGZO-TFT器件的制备 | 第31-33页 |
3.1.1 实验材料的准备 | 第31-32页 |
3.1.2 IGZO、Al_2O_3薄膜的制备 | 第32页 |
3.1.3 热蒸发制备TFT器件的金属电极 | 第32-33页 |
3.2 器件性能对比与分析 | 第33-39页 |
3.2.1 IGZO-TFT器件性能对比 | 第33-35页 |
3.2.2 IGZO-TFT器件薄膜分析 | 第35-39页 |
3.3 IGZO-TFT有源层制备方法探讨 | 第39-40页 |
3.4 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 不同原子比的IGZO-TFT器件性能的分析 | 第41-53页 |
4.1 不同原子比对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第41-46页 |
4.1.1 TFT器件的制备 | 第41页 |
4.1.2 TFT器件的性能分析 | 第41-46页 |
4.2 不同原子比对IGZO薄膜性能的影响 | 第46-49页 |
4.2.1 不同原子比IGZO薄膜微观结构的XRD分析 | 第46页 |
4.2.2 不同原子比IGZO薄膜表面均方根粗糙度的影响 | 第46-48页 |
4.2.3 不同原子比的IGZO薄膜EDS分析 | 第48页 |
4.2.4 不同原子比对IGZO薄膜发光性能影响 | 第48-49页 |
4.3 不同原子比对器件性能影响的机理分析 | 第49-50页 |
4.4 稳定性测试 | 第50-51页 |
4.5 本章小结 | 第51-53页 |
第5章 IGZO-TFT的空气退火和有源层图形化工艺探索 | 第53-64页 |
5.1 空气退火对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第53-55页 |
5.1.1 TFT器件的制备 | 第53页 |
5.1.2 TFT器件的性能分析 | 第53-55页 |
5.2 空气退火对IGZO薄膜性能的影响 | 第55-61页 |
5.2.1 IGZO薄膜的XRD分析 | 第55-56页 |
5.2.2 不同退火温度对IGZO薄膜表面均方根粗糙度的影响 | 第56-57页 |
5.2.3 不同退火温度IGZO薄膜EDS分析 | 第57-60页 |
5.2.4 不同退火温度对IGZO薄膜发光性能影响 | 第60-61页 |
5.3 空气退火对IGZO-TFT器件性能影响的机理分析 | 第61页 |
5.4 有源层图形化探索 | 第61-63页 |
5.4.1 湿法刻蚀 | 第62页 |
5.4.2 剥离光刻胶 | 第62页 |
5.4.3 TFT器件性能分析 | 第62-63页 |
5.5 本章小结 | 第63-64页 |
第6章 总结与展望 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第72页 |