| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第10-22页 |
| 1.1 选题依据及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 微结构X射线源的发展 | 第12-20页 |
| 1.2.1 应用于吸收成像的X射线源 | 第12-15页 |
| 1.2.2 应用于相衬成像的X射线源 | 第15-17页 |
| 1.2.3 微结构X射线源 | 第17-20页 |
| 1.3 主要研究内容和创新点 | 第20-22页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第20页 |
| 1.3.2 论文创新点 | 第20-21页 |
| 1.3.3 论文结构安排 | 第21-22页 |
| 第2章 微结构X射线源理论研究 | 第22-37页 |
| 2.1 X射线产生原理 | 第22-27页 |
| 2.1.1 轫致辐射理论 | 第23-25页 |
| 2.1.2 特征辐射理论 | 第25-27页 |
| 2.2 高发射通量阴极理论 | 第27-29页 |
| 2.2.1 阴极电子发射原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 热发射阴极种类 | 第28-29页 |
| 2.3 结构阳极理论 | 第29-34页 |
| 2.3.1 结构阳极的特性 | 第29-30页 |
| 2.3.2 结构阳极的分类 | 第30-31页 |
| 2.3.3 结构阳极的光谱分析 | 第31-34页 |
| 2.4 阳极和热沉材料研究 | 第34-37页 |
| 2.4.1 阳极材料选择 | 第34-35页 |
| 2.4.2 热沉材料选择 | 第35-37页 |
| 第3章 基于蒙特卡罗方法的电子输运模拟 | 第37-51页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法的简介[33] | 第37-42页 |
| 3.1.1 蒙特卡罗方法的基本原理 | 第37-40页 |
| 3.1.2 粒子输运过程的蒙特卡罗模拟 | 第40-42页 |
| 3.2 蒙特卡罗软件MCNP[33] | 第42-46页 |
| 3.2.1 MCNP5程序简介 | 第42-44页 |
| 3.2.2 MCNP5软件算法流程 | 第44-45页 |
| 3.2.3 MCNP5程序数理基础 | 第45-46页 |
| 3.3 MCNP5输入文件 | 第46-51页 |
| 3.3.1 几何建模 | 第47-48页 |
| 3.3.2 电子源描述 | 第48-49页 |
| 3.3.3 计数方式选择 | 第49-51页 |
| 第4章 高能电子在阳极靶内沉积能量分布研究 | 第51-68页 |
| 4.1 电子与固体相互作用 | 第51-52页 |
| 4.2 物理模型 | 第52-54页 |
| 4.3 模拟结果分析 | 第54-61页 |
| 4.3.1 钨靶内电子扩展范围分析 | 第54-56页 |
| 4.3.2 金刚石靶内电子扩展范围分析 | 第56-57页 |
| 4.3.3 钼靶内电子扩展范围分析 | 第57-59页 |
| 4.3.4 铜靶内电子扩展范围分析 | 第59-61页 |
| 4.4 对比分析 | 第61-68页 |
| 4.4.1 扩展范围对比分析 | 第61-64页 |
| 4.4.2 热熔区域对比分析 | 第64-65页 |
| 4.4.3 阳极临界电流对比分析 | 第65-68页 |
| 第5章 微结构源X射线强度分布研究 | 第68-79页 |
| 5.1 微结构X射线源角分布模型 | 第68-72页 |
| 5.1.1 不同能量电子入射下，X射线强度角分布 | 第69-70页 |
| 5.1.2 不同厚度钨微结构X射线强度角分布 | 第70-72页 |
| 5.2 透射式微结构X射线源强度分布 | 第72-77页 |
| 5.2.1 不同能量电子入射下的微结构X射线强度分布 | 第72-74页 |
| 5.2.2 分析验证微结构靶X射线强度分布规律 | 第74-77页 |
| 5.3 误差分析 | 第77-79页 |
| 第6章 总结和展望 | 第79-82页 |
| 6.1 工作总结 | 第79-81页 |
| 6.2 问题与展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 附录 | 第85-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第90页 |