| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第16-48页 |
| 1.1 引言 | 第16-18页 |
| 1.2 太阳能电池简介 | 第18-22页 |
| 1.2.1 太阳能电池基本原理和关键性能参数 | 第18-20页 |
| 1.2.2 太阳能电池研究发展概况 | 第20-22页 |
| 1.3 铜铟铝硒化合物材料及其器件简介 | 第22-34页 |
| 1.3.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜材料的起源 | 第22-24页 |
| 1.3.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜材料的结构和性质 | 第24-26页 |
| 1.3.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜材料的主要制备方法 | 第26-28页 |
| 1.3.4 Cu(In,Al)Se_2材料及其器件的研究现状 | 第28-34页 |
| 1.4 本论文铜铟铝硒薄膜及其光电器件的制备方法和性能表征手段 | 第34-37页 |
| 1.4.1 磁控溅射和硒化法 | 第34-36页 |
| 1.4.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜及其器件性能表征手段 | 第36-37页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-48页 |
| 第二章 硒化工艺对铜铟铝硒薄膜及其器件的性能研究 | 第48-78页 |
| 2.1 引言 | 第48-49页 |
| 2.2 实验设计思路 | 第49-50页 |
| 2.3 硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第50-57页 |
| 2.3.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第50-54页 |
| 2.3.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第54-55页 |
| 2.3.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第55-56页 |
| 2.3.4 Cu(In,Al)Se_2薄膜的透射光谱分析 | 第56-57页 |
| 2.4 硒化气压对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第57-62页 |
| 2.4.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第57-60页 |
| 2.4.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第60-62页 |
| 2.4.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的透射光谱分析 | 第62页 |
| 2.5 硒化温度和气压对Cu(In,Al)Se_2薄膜太阳能电池的性能研究 | 第62-64页 |
| 2.6 硒化时间对Cu(In,Al)Se_2薄膜及其器件性能的研究 | 第64-70页 |
| 2.6.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第64-66页 |
| 2.6.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第66-68页 |
| 2.6.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的硒化机理研究 | 第68-69页 |
| 2.6.4 硒化时间对Cu(In,Al)Se_2薄膜太阳能电池的性能研究 | 第69-70页 |
| 2.7 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 第三章 组分调控对铜铟铝硒薄膜的性能研究 | 第78-102页 |
| 3.1 引言 | 第78-79页 |
| 3.2 实验设计思路 | 第79-81页 |
| 3.3 Al含量对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第81-83页 |
| 3.3.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第81页 |
| 3.3.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第81-83页 |
| 3.4 Cu含量对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第83-92页 |
| 3.4.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第83-87页 |
| 3.4.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第87-88页 |
| 3.4.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的方块电阻和电导率分析 | 第88-89页 |
| 3.4.4 Cu(In,Al)Se_2薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第89-90页 |
| 3.4.5 Cu(In,Al)Se_2薄膜的透射光谱分析 | 第90-92页 |
| 3.5 Se/S质量比对Cu(In,AI)(Se,S)_2薄膜性能的研究 | 第92-94页 |
| 3.5.1 Cu(In,Al)(Se,S)_2薄膜的结构表征 | 第92-93页 |
| 3.5.2 Cu(In,Al)(Se,S)_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第93-94页 |
| 3.6 本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 第四章 金属前驱体预处理对铜铟铝硒薄膜及其器件的性能研究 | 第102-124页 |
| 4.1 引言 | 第102-103页 |
| 4.2 实验设计思路 | 第103-104页 |
| 4.3 前驱体预处理温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜及其器件性能的研究 | 第104-114页 |
| 4.3.1 前驱体薄膜的结构表征 | 第104-106页 |
| 4.3.2 前驱体薄膜的微观形貌表征 | 第106-107页 |
| 4.3.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第107-109页 |
| 4.3.4 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第109-111页 |
| 4.3.5 Cu(In,Al)Se_2薄膜的光致发光光谱分析 | 第111-112页 |
| 4.3.6 前驱体预处理温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜太阳能电池的性能分析 | 第112-114页 |
| 4.4 前驱体预处理时间对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第114-119页 |
| 4.4.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第114-116页 |
| 4.4.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第116-118页 |
| 4.4.3 Cu(In,Al)Se_2薄膜的光致发光光谱分析 | 第118-119页 |
| 4.5 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第五章 V族元素(Sb或Bi)掺杂对铜铟铝硒薄膜及其器件的性能研究 | 第124-156页 |
| 5.1 引言 | 第124-125页 |
| 5.2 实验设计思路 | 第125-126页 |
| 5.3 Sb元素掺杂对Cu(In,Al)Se_2薄膜及器件性能的研究 | 第126-138页 |
| 5.3.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第126-131页 |
| 5.3.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌和组分表征 | 第131-133页 |
| 5.3.3 Sb掺杂对Cu(In,Al)Se_2薄膜晶粒生长的机理研究 | 第133-134页 |
| 5.3.4 Cu(In,Al)Se_2薄膜的吸收光谱分析 | 第134-136页 |
| 5.3.5 Cu(In,Al)Se_2薄膜的光致发光光谱分析 | 第136-137页 |
| 5.3.6 Cu(In,Al)Se_2薄膜的电学性能研究 | 第137-138页 |
| 5.4 前驱体中不同位置的Sb掺杂对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第138-142页 |
| 5.4.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第138-140页 |
| 5.4.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌表征 | 第140-141页 |
| 5.4.3 不同的Sb掺杂位置对Cu(In,Al)Se_2薄膜晶粒生长的机理研究 | 第141-142页 |
| 5.5 Bi元素掺杂对Cu(In,Al)Se_2薄膜性能的研究 | 第142-148页 |
| 5.5.1 Cu(In,Al)Se_2薄膜的结构表征 | 第142-144页 |
| 5.5.2 Cu(In,Al)Se_2薄膜的微观形貌表征 | 第144-146页 |
| 5.5.3 Bi掺杂促进Cu(In,Al)Se_2薄膜晶粒生长的机理研究 | 第146-147页 |
| 5.5.4 Cu(In,Al)Se_2薄膜的吸收光谱分析 | 第147-148页 |
| 5.6 本章小结 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-156页 |
| 第六章 总结与展望 | 第156-160页 |
| 6.1 总结 | 第156-159页 |
| 6.2 展望 | 第159-160页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单 | 第160-166页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第166-167页 |
