硅基射频开关集成电路设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第11-13页 |
| 1.3 章节概要 | 第13-14页 |
| 第二章 硅基射频开关基础 | 第14-32页 |
| 2.1 MOSFET工作原理 | 第14-16页 |
| 2.2 射频开关的规格参数 | 第16-18页 |
| 2.2.1 插入损耗 | 第16页 |
| 2.2.2 隔离度 | 第16-17页 |
| 2.2.3 回波损耗与电压驻波比 | 第17页 |
| 2.2.4 功率承载能力 | 第17-18页 |
| 2.3 硅基开关的技术应用 | 第18-25页 |
| 2.3.1 硅基开关结构演进 | 第18-19页 |
| 2.3.2 降低插入损耗技术 | 第19-21页 |
| 2.3.3 提高隔离度技术 | 第21-22页 |
| 2.3.4 层叠晶体管技术 | 第22-23页 |
| 2.3.5 衬底体调谐技术 | 第23-25页 |
| 2.4 CMOS射频开关面临的挑战 | 第25-27页 |
| 2.4.1 体硅CMOS的可靠性 | 第25-26页 |
| 2.4.2 CMOS三阱工艺的局限性 | 第26-27页 |
| 2.5 SOI工艺特性及开关电路应用 | 第27-31页 |
| 2.5.1 SOI工艺结构 | 第28-29页 |
| 2.5.2 SOI工艺的开关应用优化 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SOI天线开关控制器 | 第32-49页 |
| 3.1 负压产生器 | 第33-45页 |
| 3.1.1 振荡器 | 第34-40页 |
| 3.1.2 时钟缓冲器 | 第40-42页 |
| 3.1.3 负压电荷泵 | 第42-45页 |
| 3.2 电平转换器 | 第45-47页 |
| 3.3 数字控制 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 SOI开关晶体管等效模型 | 第49-60页 |
| 4.1 晶体管导通等效模型 | 第49-54页 |
| 4.2 晶体管关闭等效模型 | 第54-56页 |
| 4.3 等效模型仿真验证 | 第56-57页 |
| 4.4 开关晶体管的品质因数 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 集成SOI天线开关 | 第60-73页 |
| 5.1 开关设计指标 | 第61页 |
| 5.2 开关电路结构设计 | 第61-65页 |
| 5.3 版图设计与后仿 | 第65-68页 |
| 5.4 芯片测试与仿真对比 | 第68-72页 |
| 5.4.1 芯片测试 | 第68-70页 |
| 5.4.2 仿真与测试对比 | 第70-72页 |
| 5.5 本章总结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-74页 |
| 6.1 全文总结 | 第73页 |
| 6.2 后续展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80-81页 |
