| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 功率LDMOS器件的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 功率LDMOS器件的发展 | 第11-14页 |
| 1.3 浅槽隔离结构LDMOS器件的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 论文的主要内容和创新点 | 第16-19页 |
| 1.4.1 论文的主要内容 | 第16-18页 |
| 1.4.2 论文的创新点 | 第18-19页 |
| 第二章 新型分段浅槽隔离LDMOS器件原理及关键性能考虑 | 第19-29页 |
| 2.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件的基本结构和工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 新型分段浅槽隔离LDMOS器件的工艺流程 | 第20-21页 |
| 2.3 新型分段浅槽隔离LDMOS器件关键电学性能考虑 | 第21-24页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.3.2 击穿电压 | 第22-23页 |
| 2.3.3 特征导通电阻 | 第23-24页 |
| 2.3.4 栅漏电容 | 第24页 |
| 2.4 新型分段浅槽隔离LDMOS器件可靠性考虑 | 第24-27页 |
| 2.4.1 静电放电可靠性 | 第25页 |
| 2.4.2 安全工作区可靠性 | 第25-26页 |
| 2.4.3 热载流子可靠性 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 新型分段浅槽隔离LDMOS器件电学设计 | 第29-53页 |
| 3.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件仿真设置 | 第29-31页 |
| 3.2 新型分段浅槽隔离LDMOS器件漂移区的优化设计 | 第31-36页 |
| 3.2.1 漂移区长度的优化设计 | 第31-34页 |
| 3.2.2 漂移区掺杂浓度的优化设计 | 第34-36页 |
| 3.3 新型分段浅槽隔离LDMOS器件STI结构的优化设计 | 第36-41页 |
| 3.3.1 STI长度的优化设计 | 第36-39页 |
| 3.3.2 STI宽度的优化设计 | 第39-41页 |
| 3.4 新型分段浅槽隔离LDMOS器件栅极场板的优化设计 | 第41-50页 |
| 3.4.1 栅极场板距离L_(g1)的优化设计 | 第41-44页 |
| 3.4.2 栅极场板距离L_(g2)的优化设计 | 第44-48页 |
| 3.4.3 栅极场板距离L_(g3)的优化设计 | 第48-50页 |
| 3.5 新型分段浅槽隔离LDMOS器件结构工艺参数的确定 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 新型分段浅槽隔离LDMOS器件可靠性研究 | 第53-71页 |
| 4.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件静电放电可靠性 | 第53-59页 |
| 4.1.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件的静电放电响应特性 | 第53-58页 |
| 4.1.2 改善新型分段浅槽隔离LDMOS器件静电放电可靠性的方法 | 第58-59页 |
| 4.2 新型分段浅槽隔离LDMOS器件安全工作区可靠性 | 第59-63页 |
| 4.2.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件的安全工作区研究 | 第59-60页 |
| 4.2.2 改善新型分段浅槽隔离LDMOS器件安全工作区的方法 | 第60-63页 |
| 4.3 新型分段浅槽隔离LDMOS器件热载流子可靠性 | 第63-67页 |
| 4.3.1 新型分段浅槽隔离LDMOS器件的热载流子退化机理 | 第63-66页 |
| 4.3.2 改善新型分段浅槽隔离LDMOS器件热载流子可靠性的方法 | 第66-67页 |
| 4.4 新型分段浅槽隔离LDMOS器件最终结构的性能参数 | 第67-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间成果 | 第79页 |
