| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·ZnO的物理性质 | 第13-19页 |
| ·ZnO材料的晶体结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO材料的电学性能 | 第16-17页 |
| ·ZnO材料的光学性能 | 第17-18页 |
| ·ZnO材料中的本征缺陷及掺杂 | 第18-19页 |
| ·ZnO基光电器件的应用简介 | 第19-22页 |
| ·电致发光器件 | 第19-21页 |
| ·光敏器件 | 第21页 |
| ·薄膜场效应晶体管 | 第21-22页 |
| ·薄膜制备方法简介 | 第22-25页 |
| ·射频磁控溅射 | 第22-24页 |
| ·蒸发镀膜 | 第24页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第24页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第24-25页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD) | 第25页 |
| ·本论文的研究内容及其意义 | 第25-27页 |
| 第二章 GaN基薄膜ZnO电致发光器件 | 第27-55页 |
| ·GaN基薄膜ZnO电致发光器件的研究现状与可探索点 | 第27-30页 |
| ·GaN基薄膜ZnO电致发光器件的研究现状 | 第27-29页 |
| ·现有GaN基薄膜ZnO发光器件可进一步探索的方面 | 第29-30页 |
| ·基于n-ZnO/HfO_2/p-GaN异质结的可变颜色电致发光器件 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·n-ZnO/HfO_2/p-GaN异质结电致发光器件的制备 | 第31-32页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第32-36页 |
| ·基于n-ZnO/n-GaN异质结的双色电致发光器件 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·n-ZnO/n-GaN异质结双色电致发光器件的制备 | 第37-38页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第38-43页 |
| ·基于Au/HfO_2/n-ZnO/n~+-GaN MIS结构的低阈值电压紫外发光器件 | 第43-48页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·Au/HfO_2/n-ZnO/n~+-GaN MIS结构电致发光器件的制备 | 第44-45页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第45-48页 |
| ·基于p-NiO/n-ZnO/n~+-GaN异质结的紫外发光器件 | 第48-52页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·p-NiO/n-ZnO/n~+-GaN异质结电致发光器件的制备 | 第49-50页 |
| ·材料农征及器件性能分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第三章 Si基ZnO发光与光敏器件 | 第55-75页 |
| ·Si基ZnO发光器件与光敏器件的研究现状与可探索点 | 第55-58页 |
| ·Si基ZnO发光器件与光敏器件的研究现状 | 第55-57页 |
| ·Si基ZnO发光器件与光敏器件可进一步探索的方面 | 第57-58页 |
| ·基于n-ZnO/NiO/p-Si异质结橘红色电致发光器件 | 第58-66页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·n-ZnO/NiO/p-Si异质结电致发光器件的制备 | 第58-59页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第59-66页 |
| ·基于n-ZnO纳米杆/n-Si异质结零偏压紫外-可见光敏器件 | 第66-73页 |
| ·引言 | 第66-69页 |
| ·n-ZnO纳米杆/n-Si异质结光敏器件的制备 | 第69-70页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 二维ZnO纳米结构基发光器件初探 | 第75-87页 |
| ·二维纳米材料简介 | 第75-76页 |
| ·基于铝上无种子层生长的二维层状ZnO纳米墙结构的白光电致发光器件 | 第76-85页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·ZnO纳米端基电致发光器件的制备 | 第77-79页 |
| ·材料表征及器件性能分析 | 第79-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-90页 |
| 中外文参考文献 | 第90-108页 |
| 博士期间发表论文及申请专利 | 第108-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
