| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 致谢 | 第14-24页 |
| 第一章 概述 | 第24-38页 |
| ·前言 | 第24-28页 |
| ·一维纳米材料研究现状 | 第28-32页 |
| ·硫属化合物半导体一维纳米材料及其应用 | 第32-35页 |
| ·本论文的研究目的与研究内容 | 第35-38页 |
| 第二章 硫属化合物一维纳米结构的合成及掺杂 | 第38-56页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验方法 | 第38-40页 |
| ·实验材料和药品 | 第38-39页 |
| ·实验仪器及设备 | 第39-40页 |
| ·镓掺杂CdS纳米带的合成及表征 | 第40-43页 |
| ·镓掺杂CdS纳米带的合成 | 第40-41页 |
| ·镓掺杂CdS纳米带的表征 | 第41-43页 |
| ·镓掺杂CdSe纳米线、带的合成及表征 | 第43-47页 |
| ·镓掺杂CdSe纳米线、带的合成 | 第43页 |
| ·镓掺杂CdSe纳米带、纳米线的表征 | 第43-47页 |
| ·锑掺杂ZnTe纳米带的合成及表征 | 第47-51页 |
| ·锑掺杂ZnTe纳米带的合成 | 第47-48页 |
| ·锑掺杂ZnTe纳米带的表征 | 第48-51页 |
| ·氮掺杂ZnSe纳米带的合成及表征 | 第51-54页 |
| ·氮掺杂ZnSe纳米带的合成 | 第51-52页 |
| ·氮掺杂ZnSe纳米带的表征 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 掺杂一维纳米结构的场效应器件 | 第56-78页 |
| ·引言 | 第56-58页 |
| ·实验方法 | 第58-64页 |
| ·实验材料和药品 | 第58-59页 |
| ·实验仪器及设备 | 第59页 |
| ·纳米场效应晶体管的制备 | 第59-62页 |
| ·金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备 | 第59-61页 |
| ·金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)的制备 | 第61-62页 |
| ·纳米场效应晶体的器件性能测试 | 第62-64页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的场效应器件 | 第64-68页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的MOSFET | 第64-65页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的MISFET | 第65-68页 |
| ·基于镓掺杂CdSe纳米带的场效应器件 | 第68-70页 |
| ·基于锑掺杂ZnTe纳米带的场效应器件 | 第70-73页 |
| ·基于锑掺杂ZnTe纳米带的MOSFET | 第71-72页 |
| ·基于锑掺杂ZnTe纳米带的MISFET | 第72-73页 |
| ·基于氮掺杂ZnSe纳米带的场效应器件 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-78页 |
| 第四章 CdS、CdSe与Si的纳米异质结发光二级管 | 第78-90页 |
| ·引言 | 第78-80页 |
| ·实验方法 | 第80-84页 |
| ·实验材料和药品 | 第80页 |
| ·实验仪器及设备 | 第80-81页 |
| ·纳米发光二极管的制备 | 第81-84页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的发光二极管 | 第84-87页 |
| ·基于镓掺杂CdSe纳米带的发光二极管 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 CdS、CdSe的异质结和肖特基结型光伏器件 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·实验方法 | 第90-92页 |
| ·实验材料和药品 | 第90-91页 |
| ·实验仪器及设备 | 第91-92页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的光伏器件 | 第92-97页 |
| ·n-CdS/p-Si异质结型光伏器件 | 第92-94页 |
| ·CdS/Au肖特基型光伏器件 | 第94-97页 |
| ·基于镓掺杂CdSe纳米带的光伏器件 | 第97-100页 |
| ·n-CdSe/p-Si异质结型光伏器件 | 第97-98页 |
| ·CdSe/Au肖特基型光伏器件 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第六章 掺杂一维纳米结构的光电探测器 | 第102-130页 |
| ·引言 | 第102-104页 |
| ·实验方法 | 第104-107页 |
| ·实验材料和药品 | 第104-105页 |
| ·实验仪器及设备 | 第105页 |
| ·光电探测器的性能表征 | 第105-107页 |
| ·基于镓掺杂CdS纳米带的光电探测器 | 第107-114页 |
| ·光电导型光电探测器 | 第107-108页 |
| ·n-CdS/p-Si异质结型光电探测器 | 第108-110页 |
| ·CdS/Au肖特基型光电探测器 | 第110-114页 |
| ·基于镓掺杂CdSe纳米带的光电探测器 | 第114-123页 |
| ·光电导型光电探测器 | 第114-115页 |
| ·n-CdSe/p-ZnTe异质结型光电探测器 | 第115-120页 |
| ·CdSe/Au肖特基结型光电探测器 | 第120-123页 |
| ·基于锑掺杂ZnTe纳米带的光电探测器 | 第123-127页 |
| ·光电导型光电探测器 | 第123-125页 |
| ·p-ZnTe/n-Si异质结型光电探测器 | 第125-127页 |
| ·基于氮掺杂ZnSe纳米带的光电探测器 | 第127-128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 CdSe与Au的肖特基结型非易失性存储器 | 第130-140页 |
| ·实验方法 | 第130-131页 |
| ·实验材料和药品 | 第130-131页 |
| ·实验仪器及设备 | 第131页 |
| ·存储器的制备与性能表征 | 第131-138页 |
| ·本章小结 | 第138-140页 |
| 第八章 全文总结与展望 | 第140-144页 |
| ·全文总结 | 第140-142页 |
| ·本文创新之处 | 第142页 |
| ·工作展望 | 第142-144页 |
| 参考文献 | 第144-156页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第156-158页 |
